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TCMT1113 复制

品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装:4-SOIC(0.173",4.40mm 宽)

类目: 晶体管输出光耦

编号:L25642184

输出电流: 50mA

隔离电压(Vrms): 3.75kV

输出通道数: 1

上升时间(tr): 3us

1+: ¥ 0.640000

10+: ¥ 0.441000

100+: ¥ 0.318800

500+: ¥ 0.264080

1000+: ¥ 0.246110

总额:¥ 0.64

TCMT1113 复制

品牌:Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装:-

编号:D3610615

手册:  

Vce 饱和压降(最大):300mV

上升、下降时间(典型值):3µs,4µs

供应商器件封装:4-SOP

制造商:Vishay Semiconductor Opto Division

总额:¥ 0

TCMT1113 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E016768

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 5.570000

10+: ¥ 3.250000

100+: ¥ 2.380000

500+: ¥ 2.260000

1000+: ¥ 1.880000

3000+: ¥ 1.640000

6000+: ¥ 1.620000

9000+: ¥ 1.590000

24000+: ¥ 1.550000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 5.57

TCMT1113 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E015749

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 5.570000

10+: ¥ 3.250000

100+: ¥ 2.380000

500+: ¥ 2.260000

1000+: ¥ 1.880000

3000+: ¥ 1.640000

6000+: ¥ 1.620000

9000+: ¥ 1.590000

24000+: ¥ 1.550000

MY: 255+

1 个/EA

总额:¥ 5.57

TCMT1113 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E005840

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

1+: ¥ 5.570000

10+: ¥ 3.250000

100+: ¥ 2.380000

500+: ¥ 2.260000

1000+: ¥ 1.880000

3000+: ¥ 1.640000

6000+: ¥ 1.620000

9000+: ¥ 1.590000

24000+: ¥ 1.550000

MY: 1+

1 个/EA

总额:¥ 5.57

Total:51
总5条记录,每页20条,共1页。
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