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类目：
场效应管(MOSFET) 三极管(BJT) 晶闸管(可控硅) / 模块 数字晶体管 IGBT管 / 模块 达林顿管 达林顿晶体管阵列 结型场效应管(JFET) 智能功率模块(IPM) 预售晶体管
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VISHAY (3)
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TCMT1113 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E016768

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 5.570000

10+： ¥ 3.250000

100+： ¥ 2.380000

500+： ¥ 2.260000

1000+： ¥ 1.880000

3000+： ¥ 1.640000

6000+： ¥ 1.620000

9000+： ¥ 1.590000

24000+： ¥ 1.550000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 5.57

TCMT1113 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E015749

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 5.570000

10+： ¥ 3.250000

100+： ¥ 2.380000

500+： ¥ 2.260000

1000+： ¥ 1.880000

3000+： ¥ 1.640000

6000+： ¥ 1.620000

9000+： ¥ 1.590000

24000+： ¥ 1.550000

MY： 255+

1 个/EA

总额：¥ 5.57

TCMT1113 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E005840

手册:  

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 6.3A

导通电阻(RDS(on))： 550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)： 125W

1+： ¥ 5.570000

10+： ¥ 3.250000

100+： ¥ 2.380000

500+： ¥ 2.260000

1000+： ¥ 1.880000

3000+： ¥ 1.640000

6000+： ¥ 1.620000

9000+： ¥ 1.590000

24000+： ¥ 1.550000

MY： 1+

1 个/EA

总额：¥ 5.57

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