TLP630 复制

品牌：TOSHIBA复制

封装：-

类目： 逻辑输出光耦

编号：E023391

手册:  

工作电压：10V~35V

隔离电压(Vrms)：2.5kV

CMTI(kV/us)：5kV/us

数据速率：-

TLP630(GB-TP1,F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3608766

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-SMD

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：散装

TLP630(GB-LF1,F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3608747

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-SMD

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：散装

TLP630(GB-FANUC,F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3608739

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-DIP

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：散装

TLP630(TA,F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3608724

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-DIP

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：散装

TLP630(F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3608714

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-DIP

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：散装

TLP630(MBS-H,F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3608697

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-DIP

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：散装

TLP630(GB,F) 复制

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage复制

封装：-

编号：D3606483

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：400mV

上升、下降时间（典型值）：2µs，3µs

供应商器件封装：6-DIP

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

包装：管件