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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

TP65H015G5WS 复制

品牌:Renesas Electronics Corporation复制

封装:TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号:L44048841

漏源击穿电压(Vds):650V

连续漏极电流(Id):93A

耗散功率(Pd):266W

工作温度:-55℃~+150℃

1+: ¥ 195.188358

30+: ¥ 123.701903

120+: ¥ 108.074604

510+: ¥ 105.878611

总额:¥ 195.19

没有符合条件的记录。
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