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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

TP65H050WS 复制

品牌:Renesas Electronics Corporation复制

封装:TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号:L44051769

漏源击穿电压(Vds):650V

连续漏极电流(Id):34A

耗散功率(Pd):119W

工作温度:-55℃~+150℃

1+: ¥ 165.934895

30+: ¥ 103.665264

120+: ¥ 90.045298

510+: ¥ 86.045755

总额:¥ 165.93

TP65H050WSQA 复制

品牌:Renesas Electronics Corporation复制

封装:TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号:L44067649

漏源击穿电压(Vds):650V

连续漏极电流(Id):36A

耗散功率(Pd):150W

工作温度:-55℃~+175℃

1+: ¥ 175.520776

30+: ¥ 110.188042

120+: ¥ 95.904915

510+: ¥ 92.449949

总额:¥ 175.52

没有符合条件的记录。
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