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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

TP65H480G4JSG-TR 复制

品牌:Renesas Electronics Corporation复制

封装:3-PowerTDFN

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号:L44050202

漏源击穿电压(Vds):650V

连续漏极电流(Id):3.6A

耗散功率(Pd):13.2W

工作温度:-55℃~+150℃

1+: ¥ 18.014844

10+: ¥ 11.486529

100+: ¥ 7.764563

500+: ¥ 6.171158

1000+: ¥ 5.658644

2000+: ¥ 5.436682

总额:¥ 18.01

没有符合条件的记录。
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