ULN2003ADRG3 复制

品牌：TEXAS INSTRUMENTS复制

封装：-

编号：E010456

ULN2003ADR 复制

品牌：TEXAS INSTRUMENTS复制

封装：-

类目： 达林顿晶体管阵列

编号：E010455

集射击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：500mA

最大输入电压(VI)：30V

ULN2003ADR 复制

品牌：TI复制

封装：-

类目： 锁存器

编号：E021476

手册:  

输出类型：三态

工作电压：2V~6V

通道数：8

拉电流(IOH)：7.8mA

ULN2003ADR 复制

品牌：Texas Instruments复制

封装：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

类目： 达林顿晶体管阵列

编号：L51750578

集射击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：500mA

最大输入电压(VI)：30V

ULN2003ADR2G 复制

品牌：onsemi复制

封装：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L51750580

手册:  

ULN2003ADRG3 复制

品牌：Texas Instruments复制

封装：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L51751966

ULN2003ADRE4 复制

品牌：Texas Instruments复制

封装：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L51751853