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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

US1G-E3/5AT 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:E009950

手册:  

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

5+: ¥ 0.730000

CN: 1+

5 个/EA

总额:¥ 3.65

Total:11
总1条记录,每页20条,共1页。
Digikey
原厂正品

US1G-E3/5AT 复制

品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装:DO-214AC,SMA

类目: 快恢复/高效率二极管

编号:L44081500

正向压降(Vf):1V@1A

直流反向耐压(Vr):400V

整流电流:1A

反向电流(Ir):10uA@400V

1+: ¥ 4.958214

10+: ¥ 3.065829

100+: ¥ 1.951057

500+: ¥ 1.469780

1000+: ¥ 1.314257

2000+: ¥ 1.183278

总额:¥ 4.96

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