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不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):8.9V

不同频率时电容:2095pF @ 1MHz

供应商器件封装:DO-219AB(SMF)

制造商:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

总额:¥ 0

VTVS5V0ASMF-M3-08 复制

品牌:VISHAY复制

编号:E008868

类目: 场效应管(MOSFET)

手册:  

漏源电压(Vdss): 400V

连续漏极电流(Id): 6.3A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd): 125W

5+: ¥ 0.820000

CN: 1+

5 个/EA

总额:¥ 4.1

Total:100001234567891011...500
总10000条记录,每页20条,共500页。
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