W10G-E4/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6156970

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 1 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

W10G 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：-

编号：D6155355

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 750 mA

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOB

制造商：Good-Ark Semiconductor

W10G 复制

品牌：onsemi复制

封装：-

编号：D6159797

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 1 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOB

制造商：onsemi

W10G 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：-

编号：D6156869

手册:  

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 1.5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Diodes Incorporated

W10G/1 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：-

编号：D6157084

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 1 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 µA @ 1000 V

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

W10G-E4/51 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-圆形，WOG

类目： 整流桥

编号：L51851575

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@1kV

非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)：50A

W10G 复制

品牌：Good-Ark Semiconductor复制

封装：4-圆形，WOB

编号：L51852736

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOB

制造商：Good-Ark Semiconductor

包装：盒

W10G/1 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：4-圆形，WOG

编号：L51854360

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装：散装

W10G 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：4-圆形，WOG

编号：L51854228

手册:  

二极管类型：单相

供应商器件封装：WOG

制造商：Diodes Incorporated

包装：散装