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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BAV19WS-HG3_A-08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025318

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

1+： ¥ 47.156747

10+： ¥ 32.402755

100+： ¥ 20.543533

500+： ¥ 12.699639

1000+： ¥ 9.337970

3000+： ¥ 8.273441

6000+： ¥ 7.180899

9000+： ¥ 6.219088

24000+： ¥ 5.126545

总额：¥ 47.16

没有符合条件的记录。
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原厂正品

BAV19WS-HG3_A-08 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：SC-76，SOD-323

编号：L44100350

15000+： ¥ 0.651096

30000+： ¥ 0.600605

45000+： ¥ 0.574905

75000+： ¥ 0.546065

105000+： ¥ 0.538131

总额：¥ 9766.44

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