CNY651AGRST 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E012783

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

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品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：-

编号：D3616906

手册:  

Vce 饱和压降（最大）：300mV

上升、下降时间（典型值）：2.4µs，2.7µs

供应商器件封装：4-SMD

制造商：Vishay Semiconductor Opto Division

包装：卷带（TR）

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品牌：vishay / dale复制

封装：-

类目： 晶体管输出光耦

编号：L51051257

输出类型：光电三极管

正向压降(Vf)：1.32V

输出电流：50mA

隔离电压(Vrms)：8.2kV

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品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：4-SMD，鸥翼

类目： 晶体管输出光耦

编号：L50460926

输出类型：光电三极管

正向压降(Vf)：1.32V

输出电流：50mA

隔离电压(Vrms)：8.2kV

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品牌：Vishay Semiconductor Opto Division复制

封装：4-SMD，鸥翼

类目： 晶体管输出光耦

编号：L37658288

输出类型：光电三极管

正向压降(Vf)：1.32V

输出电流：50mA

隔离电压(Vrms)：8.2kV