CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D4008922

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-FBGA（8x9.5）

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：Cypress Semiconductor Corp

包装：托盘

CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D3975309

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-FBGA（8x9.5）

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：Infineon Technologies

包装：托盘

CY62187EV30LL-55BAXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D3985983

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-FBGA（8x9.5）

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：infineon technologies复制

封装：Tray

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L51036075

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

工作温度：-40℃~+85℃

CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-LFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37349197

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

工作温度：-40℃~+85℃

CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-LFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50152166

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

工作温度：-40℃~+85℃

CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：48-LFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37357580

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

工作温度：-40℃~+85℃

CY62187EV30LL-55BAXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：48-LFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50160529

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：55ns

工作温度：-40℃~+85℃

CY62187EV30LL-55BAXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-LFBGA

编号：L50186219

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

基本产品编号：CY62187

CY62187EV30LL-55BAXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：48-LFBGA

编号：L37383246

写周期时间 - 字，页：55ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

基本产品编号：CY62187