CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D4001955

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：119-PBGA（14x22）

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：Infineon Technologies

包装：托盘

CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：-

编号：D3961202

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：119-PBGA（14x22）

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：Cypress Semiconductor Corp

包装：托盘

CY7C1062GE30-10BGXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：-

编号：D3984627

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：119-PBGA（14x22）

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：Infineon Technologies

包装：卷带（TR）

CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：infineon technologies复制

封装：Tray

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L51036529

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：15ns

CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：119-BGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50155537

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：15ns

CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：119-BGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37352618

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：15ns

CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：119-BGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50164754

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：15ns

CY7C1062GE30-10BGXI 复制

品牌：Cypress Semiconductor Corp复制

封装：119-BGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37361821

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

工作电压：2.2V~3.6V

读写时间：15ns

CY7C1062GE30-10BGXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：119-BGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50185429

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：16Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃

CY7C1062GE30-10BGXIT 复制

品牌：Infineon Technologies复制

封装：119-BGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37382378

商品目录：静态随机存取存储器(SRAM)

存储容量：16Mbit

工作电压：2.2V~3.6V

工作温度：-40℃~+85℃