IS37SML01G1-LLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：-

编号：D3962053

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-WSON（8x6）

写周期时间 - 字，页：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：管件

IS37SML01G1-LLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：-

编号：D3971024

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-WSON（8x6）

写周期时间 - 字，页：-

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：卷带（TR）

IS37SML01G1-LLI 复制

品牌：issi复制

封装：-

类目： DDR SDRAM

编号：L51030499

存储容量：-

工作电压：1.7V~1.9V

工作温度：-40℃~+85℃

IS37SML01G1-LLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：8-WDFN 祼焊盘

类目： NAND FLASH

编号：L50178189

时钟频率(fc)：104MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：400us

块擦除时间(tBE)：4ms

IS37SML01G1-LLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：8-WDFN 祼焊盘

类目： NAND FLASH

编号：L50165067

时钟频率(fc)：104MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：400us

块擦除时间(tBE)：4ms

IS37SML01G1-LLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：8-WDFN 祼焊盘

类目： NAND FLASH

编号：L37374179

时钟频率(fc)：104MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：400us

块擦除时间(tBE)：4ms

IS37SML01G1-LLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：8-WDFN 祼焊盘

类目： NAND FLASH

编号：L37362272

时钟频率(fc)：104MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：400us

块擦除时间(tBE)：4ms