IS61WV6416EEBLL-10BLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：-

编号：D3968544

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-TFBGA（6x8）

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：托盘

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品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：-

编号：D3968377

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：48-TFBGA（6x8）

写周期时间 - 字，页：10ns

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

包装：卷带（TR）

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品牌：issi复制

封装：-

类目： DDR SDRAM

编号：L51035908

存储容量：-

工作电压：1.7V~1.9V

工作温度：-40℃~+85℃

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品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50171890

工作电压：2.4V~3.6V

读写时间：10ns

工作温度：-40℃~+85℃

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品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L50171797

工作电压：2.4V~3.6V

读写时间：10ns

工作温度：-40℃~+85℃

IS61WV6416EEBLL-10BLI 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37370244

工作电压：2.4V~3.6V

读写时间：10ns

工作温度：-40℃~+85℃

IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR 复制

品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc复制

封装：48-TFBGA

类目： 静态随机存取存储器(SRAM)

编号：L37370156

工作电压：2.4V~3.6V

读写时间：10ns

工作温度：-40℃~+85℃