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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

SI7617DN-T1-GE3 复制

品牌:VISHAY复制

封装:-

类目:场效应管(MOSFET)

编号:E005414

手册:  

漏源电压(Vdss):400V

连续漏极电流(Id):6.3A

导通电阻(RDS(on)):550mΩ@10V,6A

耗散功率(Pd):125W

1+: ¥ 3.380000

CN: 1+

1 个/EA

总额:¥ 3.38

Total:11
总1条记录,每页20条,共1页。
Mouser
原厂正品

SI7617DN-T1-GE3 复制

品牌:vishay semiconductors复制

封装:-

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L51028316

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):35A

导通电阻(RDS(on)):12.3mΩ@10V,13.9A

耗散功率(Pd):3.7W

1+: ¥ 101.877249

10+: ¥ 64.245232

100+: ¥ 42.674522

500+: ¥ 33.336552

1000+: ¥ 30.348402

3000+: ¥ 26.426454

6000+: ¥ 25.305898

总额:¥ 101.88

Digikey
原厂正品

SI7617DN-T1-GE3 复制

品牌:Vishay Siliconix复制

封装:PowerPAK® 1212-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号:L44044430

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):35A

导通电阻(RDS(on)):12.3mΩ@10V,13.9A

耗散功率(Pd):3.7W

1+: ¥ 12.312898

10+: ¥ 7.767869

100+: ¥ 5.151584

500+: ¥ 4.026566

1000+: ¥ 3.664368

总额:¥ 12.31

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