PSMN4R3-40MSHX 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016247

正向压降(Vf)：1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)：100V

整流电流：215mA

反向电流(Ir)：500nA@80V

DMP2305U-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016245

BSC014NE2LSIATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016207

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

BUK7S0R7-40HJ 复制

品牌：NEXPERIA复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016203

正向压降(Vf)：1.25V@150mA

直流反向耐压(Vr)：100V

整流电流：215mA

反向电流(Ir)：500nA@80V

R6076ENZ1C9 复制

品牌：ROHM复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016137

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

耗散功率(Pd)：150mW

2ED21824S06JXUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016118

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

RJU002N06FRAT106 复制

品牌：ROHM复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016115

手册:  

集射极击穿电压(Vceo)：50V

集电极电流(Ic)：100mA

耗散功率(Pd)：150mW

FCH47N60NF 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016109

BSS138K 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016043

IPB200N25N3GATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016025

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

BSC034N06NSATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E016015

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

BSO150N03MDGXUMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015894

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

AUIRF7647S2TR 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015819

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IPG20N10S4L22ATMA1 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015720

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

IRF7306TRPBF 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015657

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

HIP4086ABZT 复制

品牌：RENESAS复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015609

手册:  

商品目录：其他接口

接口类型：PCIe

数据速率：5Gbps

工作温度：-40℃~+85℃

SQ2308CES-T1_GE3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015598

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

IAUT300N08S5N012ATMA2 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015596

手册:  

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W

FQB34N20LTM 复制

品牌：ONSEMI复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015553

IPD30N06S2L23ATMA3 复制

品牌：INFINEON复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E015528

漏源电压(Vdss)：55V

连续漏极电流(Id)：110A

导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，62A

耗散功率(Pd)：200W