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LYR976MO

型号：

LYR976MO

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

6 页

PDF大小：

36 K

下载PDF手册
CHIPLED  
LY R976, LO R976, LS R976  
Besondere Merkmale  
● Gehäusebauform: 0805  
● Industriestandard bzgl. Lötpadraster  
● geringe Bauteilhöhe  
● für IR-Lötung geeignet  
● für Hinterleuchtungen und als opt. Indikator einsetzbar  
● gegurtet (8-mm-Filmgurt)  
VEO06987  
Features  
● 0805 package  
● Industry standard footprint  
● low profile  
● suitable for IR reflow soldering process  
● for use as optical indicator and backlighting  
● available taped on reel (8 mm tape)  
Typ  
Emissions- Farbe der  
Lichtstärke  
Lichtstrom Bestellnummer  
farbe  
Lichtaustritts-  
fläche  
Color of the  
Luminous  
Intensity  
Luminous  
Flux  
Ordering Code  
Type  
Color of  
Emission  
Light Emitting I = 20 mA  
I = 20 mA  
F
F
Area  
IV (mcd)  
ΦV (mlm)  
LY R976-MO yellow  
LO R976-NO orange  
LS R976-NO super-red  
colorless clear  
≥ 16 (30 typ.) 250 (typ.)  
≥ 25 (55 typ.) 450 (typ.)  
≥ 25 (55 (typ.) 450 (typ.)  
Q62702-P5105  
Q62702-P5101  
Q62702-P5103  
Semiconductor Group  
1
1998-09-15  
LY R976, LO R976  
LS R976  
Grenzwerte  
Maximum Ratings  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
Betriebstemperatur  
Operating temperature range  
Top  
Tstg  
Tj  
– 30 ... + 85  
– 40 ... + 85  
+ 95  
˚C  
˚C  
˚C  
mA  
A
Lagertemperatur  
Storage temperature range  
Sperrschichttemperatur  
Junction temperature  
Durchlaßstrom  
Forward current  
IF  
25  
Stoßstrom  
IFM  
0.1  
Surge current  
t ≤ 10 µs, D = 0.005  
Sperrspanung  
VR  
3
V
Reverse voltage  
Verlustleistung, TA = 25 ˚C  
Power dissipation, TA = 25 ˚C  
Ptot  
70  
mW  
K/W  
Wärmewiderstand  
Sperrschicht / Umgebung  
Thermal resistance  
Junction / air  
Rth JA  
700  
Semiconductor Group  
2
1998-09-15  
LY R976, LO R976  
LS R976  
Kennwerte (TA = 25 ˚C)  
Characteristics  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
LY  
LO  
LS  
Wellenlänge des emittierten Lichtes  
Wavelength at peak emission  
IF = 20 mA  
(typ.)  
591  
610  
605  
645  
nm  
λpeak  
Dominantwellenlänge  
Dominant wavelength  
IF = 20 mA  
(typ.)  
(typ.)  
λdom  
587  
632  
nm  
nm  
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max  
Spectral bandwidth at 50 % Irel max  
IF = 20 mA  
∆λ  
15  
16  
16  
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)  
Viewing angle at 50 % Iv  
2ϕ  
160  
160  
160  
Grad  
deg.  
Durchlaßspannung  
Forward voltage  
IF = 20 mA  
(typ.)  
(max.)  
VF  
VF  
2.0  
2.6  
2.0  
2.6  
2.0  
2.6  
V
V
IF = 20 mA  
Sperrstrom  
Reverse current  
VR = 3 V  
(typ.)  
(max.)  
IR  
IR  
0.01  
10  
0.01  
10  
0.01  
10  
µA  
µA  
Temperaturkoeffizient von λpeak  
Temperature coefficient of λpeak  
IF = 20 mA  
(typ.)  
(typ.)  
(typ.)  
TC  
peak  
λ
0.13  
0.10  
0.13  
0.07  
0.14  
0.01  
nm/K  
nm/K  
Temperaturkoeffizient von λdom  
,
Temperature coefficient of λdom  
,
IF = 20 mA  
TC  
dom  
λ
Temperaturkoeffizient von VF,  
Temperature coefficient of VF,  
IF = 20 mA  
TC  
F
– 2.5 – 1.7 – 2.0 mV/K  
V
Semiconductor Group  
3
1998-09-15  
LY R976, LO R976  
LS R976  
Relative spektrale Emission I = f (λ), TA = 25 ˚C, I = 20 mA  
rel  
F
Relative spectral emission  
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit  
Standard eye response curve  
OHL00415  
100  
%
Ιrel  
80  
60  
40  
20  
0
V
λ
yellow  
orange  
super-red  
350  
400  
450  
500  
550  
600  
650  
nm 700  
λ
Abstrahlcharakteristik I = f (ϕ)  
rel  
Radiation characteristic  
OHL00408  
40˚  
30˚  
20˚  
10˚  
0˚  
ϕ
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
50˚  
60˚  
70˚  
80˚  
90˚  
100˚  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0˚  
20˚  
40˚  
60˚  
80˚  
100˚  
120˚  
Semiconductor Group  
4
1998-09-15  
LY R976, LO R976  
LS R976  
Durchlaßstrom I = f (VF)  
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)  
F
Forward current  
Relative luminous intensity  
TA = 25 ˚C  
TA = 25 ˚C  
OHL00232  
OHL00417  
10 2  
mA  
5
10 1  
Ι V  
Ι F  
Ι V (20 mA)  
10 0  
5
10 1  
5
10 -1  
5
super-red  
10 0  
5
yellow  
orange  
10 -2  
5
10 -1  
10 -3  
10 -1  
5
10 0  
5
10 1  
mA 10 2  
Ι F  
1.0  
1.4  
1.8  
2.2  
2.6  
3.0 V 3.4  
VF  
Maximal zulässiger Durchlaßstrom  
Max. permissible forward current  
IF = f (TA)  
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA)  
Relative luminous intensity  
I = 20 mA  
F
OHL00420  
OHL00416  
30  
2.0  
ΙV (25 ˚C)  
ΙV  
mA  
I F  
25  
20  
15  
10  
5
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
super-red  
orange  
yellow  
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 ˚C 100  
-20  
0
20  
40  
60  
˚C 100  
TA  
TA  
Semiconductor Group  
5
1998-09-15  
LY R976, LO R976  
LS R976  
Maßzeichnung  
Package Outlines  
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)  
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)  
0.8 ±0.1  
1.25 ±0.1  
0.3 ±0.1  
Kathode/  
Cathode  
mark  
GEO06987  
Semiconductor Group  
6
1998-09-15  
厂商 型号 描述 页数 下载

INFINEON

 		LYR970 CHIPLED[ CHIPLED ] 6 页

INFINEON

 		LYR970-JO CHIPLED[ CHIPLED ] 6 页

OSRAM

 		LYR971 CHIPLED[ CHIPLED ] 10 页

INFINEON

 		LYR976 CHIPLED[ CHIPLED ] 6 页

OSRAM

 		LYR976 超CHIPLED超高亮LED[ Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED ] 11 页

INFINEON

 		LYR976-3 [ Visible LED, Diffused ] 11 页

INFINEON

 		LYR976-4 [ Visible LED, Diffused ] 11 页

INFINEON

 		LYR976-5 [ Visible LED, Diffused ] 11 页

INFINEON

 		LYR976-6 [ Visible LED, Diffused ] 11 页

INFINEON

 		LYR976-MO CHIPLED[ CHIPLED ] 6 页

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