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1SV121

型号：

1SV121

描述：

硅外延平面PIN二极管的高频衰减器[ Silicon Epitaxial Planar PIN Diode for High Frequency Attenuator ]

品牌：

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数：

3 页

PDF大小：

22 K

下载PDF手册
ADE-208-399(Z)  
1SV121  
Silicon Epitaxial Planar PIN Diode  
for High Frequency Attenuator  
Rev. 0  
Oct. 1995  
Features  
Outline  
• Low capacitance.(C=0.7pF max)  
• Small glass package (MHD) enables easy  
mounting and high reliability.  
2
1
Cathode band  
Ordering Information  
1. Cathode  
2. Anode  
Type No. Cathode band Mark  
1SV121 Verdure  
Package Code  
1
MHD  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Value  
Unit  
Reverse voltage  
Forward current  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
V
100  
100  
250  
175  
V
R
I
mA  
mW  
°C  
F
P
d
T
T
j
-65 to +175  
°C  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol Min  
Typ  
—
Max  
1.1  
Unit  
V
Test Condition  
Forward voltage  
Reverse current  
Capacitance  
V
—
—
I = 50 mA  
F
F
I
—
100  
nA  
V = 30 V  
R
R
C
—
—
—
—
0.7  
—
pF  
KΩ  
Ω
V = 50 V, f = 1 MHz  
R
r
r
1.0  
—
I = 10 µA, f = 100 MHz  
F
f1  
f2  
Forward resistance  
10  
I = 10 mA, f = 100 MHz  
F
1SV121  
10-3  
10-4  
10-5  
10-6  
10-7  
10-8  
10-9  
10-7  
10-8  
10-9  
10-10  
-10  
10-11  
10  
10-11  
-12  
10-12  
10  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
60  
80  
0
20  
40  
100  
Reverse voltage VR (V)  
Forward voltage VF (V)  
Fig.2 Reverse current Vs.  
Reverse voltage  
Fig.1 Forward current Vs.  
Forward voltage  
102  
10  
105  
104  
f=1MHz  
f=100MHz  
103  
102  
1.0  
10-1  
10  
-2  
1.0  
10  
-2  
10  
102  
-3  
10  
10-6  
10  
10-4  
-5  
10-1  
10  
1.0  
Reverse voltage VR (V)  
Forward current IF (A)  
Fig.3 Capacitance Vs.  
Reverse voltage  
Fig.4 Forward resistance  
Vs. Forward current  
1SV121  
Unit: mm  
Package Dimensions  
26.0 Min  
26.0 Min  
2.4 Max  
1 Cathode  
2 Anode  
1
2
Cathode band (Verdue)  
HITACHI Code  
MHD  
DO-34  
—
JEDEC Code  
EIAJ Code  
Weight (g)  
0.084  
厂商 型号 描述 页数 下载

TOSHIBA

 		1SV100 硅外延平面型变容二极管[ SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE ] 3 页

TOSHIBA

 		1SV101 变容二极管（ FM调谐器应用）[ VARIABLE CAPACITANCE DIODE (FM TUNER APPLICATIONS) ] 3 页

TOSHIBA

 		1SV101(F) [ Diode VAR Cap Single 15V 28pF 3-Pin Mini ] 3 页

TOSHIBA

 		1SV102 变容二极管（ AM无线电波段调整应用程序）[ VARIABLE CAPACITANCE DIODE (AM RADIO BAND TUNING APPLICATIONS) ] 3 页

TOSHIBA

 		1SV103 变容二极管， FM收音机波段调谐应用[ Variable Capacitance Diode, FM Radio Band Tuning Applications ] 2 页

NEC

 		1SV118 [ Variable Capacitance Diode, 600pF C(T), Silicon, Hyperabrupt, TO-92, 2 PIN ] 2 页

TAYCHIPST

 		1SV121 硅外延平面PIN二极管[ SILICON EPITAXIAL PLANAR PIN DIODE ] 2 页

HITACHI

 		1SV121RX [ Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, DO-34 ] 3 页

RENESAS

 		1SV121RX [ 100V, SILICON, PIN DIODE, DO-34 ] 2 页

RENESAS

 		1SV121RY [ Pin Diode, 100V V(BR), Silicon, DO-34 ] 2 页

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