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WTN9435

型号：

WTN9435

描述：

表面贴装P沟道增强型功率MOSF ET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode Power MOSF ET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

619 K

下载PDF手册
WTN9435  
Surface Mount P-Channel  
Enhancement Mode Power MOSFET  
DRAIN CURRENT  
-6.0 AMPERES  
2,4 DRAIN  
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
-30 VOLTAGE  
P b  
Lead(Pb)-Free  
1
GATE  
4
1. GATE  
2. DRAIN  
3. SOURCE  
4. DRAIN  
Features:  
* Super high dense cell design for low R (ON)  
1
3
SOURCE  
2
3
DS  
R
(ON) < 50mΩ @ V = -10V  
DS  
GS  
SOT-223  
* Simple Drive Requirement  
* Lower On-Resistance  
* Fast Switching  
Maximum Ratings(TA=25℃ Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
V
DS  
GS  
V
±25  
V
A
Continuous Drain Current3 ,VGS@10V(T =25°C)  
-6.0  
-4.8  
A
I
D
,VGS@10V(T =70°C)  
A
Pulsed Drain Current1  
I
-20  
2.7  
A
W
DM  
P
Total Power Dissipation(T =25°C)  
D
A
Maximum Junction-ambient3  
R
45  
°C/W  
°C  
θJA  
T ,T  
J
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 ~ +150  
stg  
Device Marking  
WTN9435 = 9435  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
1/6  
07-Oct-05  
WTN9435  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
-
-30  
-1.0  
-
V
-
-
V
V
(BR)DSS  
V
GS  
= 0, I = -250µA  
D
Gate-Source Threshold Voltage  
= V I = -250µA  
-3.0  
V
GS(Th)  
V
DS  
GS, D  
Gate-Source Leakage Current  
= ± 25V  
I
nA  
-
±100  
GSS  
V
GS  
Drain-Source Leakage Current(T =25°C)  
j
V
= -30A, V = 0  
GS  
-
-
-
-
-1  
DS  
μA  
I
DSS  
Drain-Source Leakage Current(T =70°C)  
j
V
DS  
= -24V, V = 0  
GS  
-25  
Drain-Source On-Resistance2  
-
-
-
-
50  
R
mΩ  
S
DS(ON)  
V
V
= -10A, I = -5.3A  
D
GS  
DS  
100  
= -4.5A, I = -4.2A  
D
Forward Transconductance  
= -10A, I = -5.3A  
g
fs  
-
10  
-
V
DS  
D
Dynamic  
Input Capacitance  
C
C
-
-
-
507  
222  
158  
912  
iss  
V
GS  
= 0V, V = -15V, f = 1.0MHz  
DS  
Output Capacitance  
= 0V, V = -15V, f = 1.0MHz  
pF  
-
-
oss  
V
GS  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
C
rss  
V
GS  
= 0V, V = -15V, f = 1.0MHz  
DS  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
2/6  
07-Oct-05  
WTN9435  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
11  
8
-
-
t
t
d(on)  
V =-15V,V =-10V,I =1A,R =15Ω,R =6Ω  
DS  
GS  
D
D
G
Rise Time  
t
r
V =-15V,V =-10V,I =1A,R =15Ω,R =6Ω  
DS  
GS  
D
D
G
ns  
Turn-off Delay Time  
25  
17  
9.2  
2.8  
5.2  
-
d(off)  
V =-15V,V =-10V,I =1A,R =15Ω,R =6Ω  
DS  
GS  
D
D
G
Fall Time  
-
t
f
V =-15V,V =-10V,I =1A,R =15Ω,R =6Ω  
DS  
GS  
D
D
G
TotalGate Charge2  
V =-24V,V =-4.5V,I =-5.3A  
16  
-
Q
g
DS  
GS  
D
Gate-Source Charge  
V =-24V,V =-4.5V,I =-5.3A  
nC  
Q
gs  
DS  
GS  
D
Gate-Drain Change  
V =-24V,V =-4.5V,I =-5.3A  
-
Q
gd  
DS  
GS  
D
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
-
-
-
-
-1.2  
V
V
SD  
V =0V, I =-2.3A  
GS  
S
Reverse Recovery Time  
V =0V, I =-5.3A, dl/dt=100A/μs  
29  
20  
-
-
ns  
nC  
T
rr  
GS  
S
Reverse Recovery Charge  
Q
rr  
V =0V, I =-5.3A, dl/dt=100A/μs  
GS  
S
Note:  
1. Pulse width limited by max, junction temperature.  
2. Pulse width ≤ 300μs, duty cycle ≤ 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 120°C/W when mounted on Min, copper pad.  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
3/6  
07-Oct-05  
WTN9435  
30  
25  
20  
30  
25  
-10V  
-8.0V  
-10V  
-8.0V  
-6.0V  
-5.0V  
°
T
A
=150 C  
-6.0V  
-5.0V  
20  
VG =-4.0V  
VG = -4.0V  
°
15  
10  
5
TA=25 C  
15  
10  
5
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
-VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
-VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
110  
1.8  
1.6  
1.4  
I D = -5.3A  
VG = -10V  
I D = -5.3A  
TA = -25°C  
100  
90  
80  
70  
1.2  
1.0  
60  
50  
0.8  
0.0  
40  
30  
-50  
0
50  
100  
150  
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
-VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
4
3
2
1
0
100  
10  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
1
0.1  
0.01  
0.1  
0.3  
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
1.5  
-50  
0
50  
100  
150  
VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
4/6  
07-Oct-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTN9435  
f = 1.0MHz  
10000  
1000  
100  
0
14  
ID = -5.3A  
12  
VDS= -24V  
10  
8
6
4
2
0
Ciss  
Coss  
Crss  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
-VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
1
100  
10  
Duty factor = 0.5  
0.2  
1ms  
0.1  
0.1  
0.05  
10ms  
0.02  
1
PDM  
t
0.01  
100ms  
Is  
0.01  
T
0.1  
0.01  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDMx Rθju+ Ta  
Rθja=120°C / W  
Single pulse  
TA= 25°C  
DC  
Single Pulse  
0.001  
0.0001 0.001 0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
-VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
-4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
Q
td(on) tr  
td(off) tf  
Charge  
Fig 11. Switching Time Circuit  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
5/6  
07-Oct-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
WTN9435  
SOT-223 Outline Dimensions  
unit:mm  
MILLIMETERS  
A
F
DIM  
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
S
MIN  
MAX  
6.30  
3.30  
1.50  
0.60  
2.90  
2.20  
6.70  
3.70  
1.75  
0.89  
3.20  
2.40  
4
S
B
1
2
3
D
0.020 0.100  
L
G
0.24  
1.50  
0.85  
0
0.35  
2.00  
1.05  
10  
J
C
M
H
K
6.70  
7.30  
6/6  
07-Oct-05  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
厂商 型号 描述 页数 下载

WINSEMI

 		WTN1A60 逻辑电平双向晶闸管[ Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor ] 5 页

WINSEMI

 		WTN1A80 双向晶闸管[ Bi-Directional Triode Thyristor ] 4 页

ETC

 		WTN3 WTN3 040 / 080-8S / 8P （ OTP ）>3 I / O单芯片语音合成器[ WTN3 040/080-8S/8P (OTP) 3 I/O Single-Chip Speech Synthesizer ] 21 页

WEITRON

 		WTN9575 表面贴装P沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTN9973 表面贴装N沟道增强型功率MOSFET[ Surface Mount N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

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