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WTX7002

型号：

WTX7002

描述：

N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

5 页

PDF大小：

594 K

下载PDF手册
WTX7002  
N-Channel ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
3
P b  
Lead(Pb)-Free  
1
2
FEATURES:  
* Low Gate Charge for Fast Switching  
* ESD Protected Gate  
SC-89  
Drain  
3
APPLICATIONS:  
* Power Management Load Switch  
* Portable Applications such as Cell Phones, Media Players,  
Digital Cameras, PDA’s, Video Games, Hand Held Computers, etc.  
1
(Top View)  
2
Gate  
Source  
Maximum Ratings (T =25°C unless otherwise specified)  
A
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Values  
30  
10  
Unit  
V
VDSS  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
V
ID  
mA  
154  
618  
Pulsed Drain Current  
tp ≤ 10μs  
mA  
mA  
mW  
°C  
IDM  
ISD  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Total Power Dissipation  
154  
300  
1
PD  
Junction temperature Range  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Note 1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
Device Marking  
WTX7002 = T6  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
1/5  
25-Jan-10  
WTX7002  
Electrical Characteristics (T =25°C unless otherwise specified,per element)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS(Note2)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
VGS=0V, ID=100µA  
-
-
-
-
V
30  
-
(BR)DSS  
V
Zero Gate Voltage Drain Current  
VDS=30V, VGS=0V  
µA  
I
1.0  
±±5  
DSS  
Gate-source Leakage  
µA  
I
-
GSS  
V
GS=±10V, VDS=0V  
ON CHARACTERISTICS(Note2)  
Gate Threshold Voltage  
V
1.5  
0.5  
-
1.0  
V
GS(th)  
V
DS=VGS, ID=100µA  
Static Drain-Source On-Resistance  
R
Ω
V
V
GS=4.5V, ID=154mA  
GS=±.5V, ID =154mA  
7.0  
7.5  
DS(ON)  
1.4  
±.3  
Forward transfer admittance  
VDS=3V, I  
gfs  
-
-
mS  
pF  
80  
D=154mA  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
-
-
-
-
-
-
11.5  
10  
C
C
C
iss  
f=1.0MHz  
GS=0V,  
V
VDS=5V,  
Output Capacitance  
VDS=5V, f=1.0MHz  
oss  
rss  
VGS=0V,  
Reverse Transfer Capacitance  
f=1.0MHz  
3.5  
VGS=0V,  
VDS=5V,  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-On Delay Time  
td(ON)  
*
*
-
-
-
13  
15  
98  
-
-
-
=10Ω  
=75mA, RG  
=75mA, RG  
=75mA, RG  
=4.5V, ID  
=4.5V, ID  
=4.5V, ID  
VDS=5.0V, VGS  
Rise Time  
t
r
=10Ω  
=10Ω  
=10Ω  
VDS=5.0V, VGS  
nS  
td(OFF)  
VDS=5.0V, VGS  
Fall Time  
VDS=5.0V, VGS  
-
60  
-
t
f
=75mA, RG  
=4.5V, ID  
Drain-Source Diode Characteristics  
Input Capacitance  
V
-
0.9  
V
0.77  
SD  
I =0.154mA  
VGS=0V,  
S
*Pulse Test : pulse width ≤ 300µs, Duty cycle ≤ ±%.  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
2/5  
25-Jan-10  
WTX7002  
Characteristics Curve  
0.2  
0.2  
0.16  
0.12  
0.08  
V
= 10 V  
T = 25°C  
V
= 5 V  
GS  
J
DS  
0.18  
5 V  
2.8 V  
2.4 V  
0.16  
0.14  
0.12  
0.1  
2 V  
0.08  
0.06  
0.04  
T = 125°C  
J
0.04  
0
T = 25°C  
J
1.4 V  
1.2 V  
0.02  
0
T = −55°C  
J
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
2
V
, GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
V
, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
GS  
DS  
Figure 1. On−Region Characteristics  
Figure 2. Transfer Characteristics  
2.5  
2.5  
2
T = 25°C  
J
V
= 4.5 V  
GS  
T = 125°C  
J
V
= 2.5 V  
= 4.5 V  
GS  
2
1.5  
1.5  
T = 25°C  
J
V
GS  
1
1
T = −55°C  
J
0.5  
0.5  
0
0.05  
0.1  
0.15  
0.2  
0
0.05  
0.1  
0.15  
0.2  
I
DRAIN CURRENT (AMPS)  
I
DRAIN CURRENT (AMPS)  
D,  
D,  
Figure 4. On−Resistance vs. Drain Current and  
Gate Voltage  
Figure 3. On−Resistance vs. Drain Current and  
Temperature  
2
1000  
100  
I
V
= 0.15 A  
V
GS  
= 0 V  
D
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
= 4.5 V  
GS  
T = 150°C  
J
1
0.8  
0.6  
0.4  
10  
1
T = 125°C  
J
0.2  
0
−50 −25  
0
25  
50  
75  
100 125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)  
J
V
DS  
, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 5. On−Resistance Variation with  
Temperature  
Figure 6. Drain−to−Source Leakage Current  
vs. Voltage  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
3/5  
25-Jan-09  
WTX7002  
Characteristics Curve  
25  
1000  
100  
10  
C
T = 25°C  
iss  
J
V
= 5.0 V  
DD  
I
= 75 mA  
D
20  
V
= 4.5 V  
GS  
C
rss  
t
d(off)  
15  
10  
t
f
t
r
C
iss  
t
d(on)  
C
oss  
5
0
V
= 0 V  
V
= 0 V  
5
C
DS  
GS  
rss  
1
10  
5
0
10  
15  
20  
1
10  
R , GATE RESISTANCE (OHMS)  
100  
V
V
GS  
DS  
G
GATE−TO−SOURCE OR DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (VOLTS)  
Figure 8. Resistive Switching Time  
Variation vs. Gate Resistance  
Figure 7. Capacitance Variation  
0.16  
V
= 0 V  
GS  
0.14  
0.12  
0.1  
T = 25°C  
J
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0
0.5  
0.55  
0.6  
0.65  
0.7  
0.75  
0.8  
V
, SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (VOLTS)  
SD  
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/5  
25-Jan-09  
WTX7002  
SC-89 Outline Demensions  
Unit:mm  
A
SC-89  
Dim  
A
B
C
D
Min  
Nom  
1.60  
0.85  
0.70  
0.28  
Max  
1.70  
0.95  
0.80  
0.33  
3
1.50  
0.75  
0.60  
0.23  
B
S
TOP VIE W  
2
1
K
G
G
J
K
M
N
0.50BSC  
0.15  
0.40  
---  
D
0.20  
0.50  
10  
10  
1.70  
0.10  
0.30  
---  
---  
1.50  
N
M
---  
1.60  
J
S
C
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/5  
25-Jan-09  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTX1012 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET ] 6 页

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