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首页 > 场效应管(MOSFET) > DMG6602SVT-7
图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

DMG6602SVT-7

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5+

¥ 2.100000

¥ 10.5
100+

¥ 1.310000

¥ 131
500+

¥ 0.900000

¥ 450
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DIODES INC.

品牌:

DIODES INC.

型号:

DMG6602SVT-7

编号:

E010798

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, 30V, 3.4A, TSOT26

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) -
导通电阻(RDS(on)) -
耗散功率(Pd) -
阈值电压(Vgs(th)) 2.3V@250uA
栅极电荷量(Qg) 13nC@10V
输入电容(Ciss) -
反向传输电容(Crss) -
工作温度 -55℃~+150℃
类型 N沟道+P沟道
输出电容(Coss) -

PDF描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET 互补对增强型MOSFET

暂无产品概述

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