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SMBJ70A

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Fairchild Semiconductor

品牌:

Fairchild Semiconductor

型号:

SMBJ70A

编号:

D1416721

包装:

散装

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS DIODE 70VWM 113VC DO214AA

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

详细描述:113V 夹子 5.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 113V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 DO-214AA(SMB)
制造商 Fairchild Semiconductor
功率 - 峰值脉冲 600W
包装 散装
单向通道 1
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 DO-214AA,SMB
工作温度 -50°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 77.8V
电压 - 反向断态(典型值) 70V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 5.3A
电源线路保护
类型 -
系列 SMBJ
零件状态 在售

PDF描述: 113V 夹子 5.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)

SMBJ70A(DOWO 东沃)产品概述

一、产品简介

SMBJ70A 是东沃(DOWO)推出的一款单向瞬态电压抑制器(TVS),采用玻璃钝化芯片工艺,封装为 SMB(DO-214AA)。该器件针对工频开关脉冲、雷击、静电放电等高能瞬态过压事件提供快速、可靠的钳位保护,适用于工业、通讯、电源和汽车周边电路的瞬态抑制需求。

二、主要参数与电气特性

  • 极性:单向(注:系列中亦有双向单元可选)
  • 反向截止电压 Vrwm:70 V
  • 击穿电压 VBR(典型):77.8 V
  • 钳位电压 Vc:113 V(在峰值脉冲电流 Ipp 下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:5.31 A(对应 10/1000 μs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(10/1000 μs,重复率 0.01%)
  • 反向漏电流 Ir:≤ 1 μA(在 Vrwm 下)
  • 响应时间:极快(能在瞬态上升期间即时钳制)
  • 符合 RoHS 环保要求

注:钳位电压 Vc 与 Ipp、测试波形有关,上述值基于 10/1000 μs 波形与 Ppp 600 W 规格。

三、关键特性

  • 玻璃钝化芯片:提高长期可靠性与稳态漏电控制,耐环境漂移能力强。
  • 高能量吸收:600 W 峰值脉冲功率,能在 10/1000 μs 标准波形下吸收较大的瞬态能量。
  • 低泄漏电流:工作电压下漏电小,适合对静态功耗敏感的应用。
  • 快速响应:能在瞬态出现的极短时间内完成钳位,保护下游敏感器件。
  • 良好钳位能力:在规定脉冲下将电压限制在约 113 V,减少后级设备承受的过压冲击。

四、典型应用场景

  • 电源输入保护、开关电源与适配器防护
  • 通信设备的线路防护(例如 48 V 电话/基站电源线路)
  • 工业控制系统的继电器与传感器接口保护
  • 汽车电子(外围控制模块、车载电源总线)
  • 工程设备与仪器的浪涌和雷击防护

五、封装与安装建议

  • 封装:SMB(DO-214AA),适合 PCB 波峰或回流焊安装。
  • 安装注意:为获得最佳能量耗散,应将器件靠近需保护的输入引脚放置,并配合合适的散热铜箔与过孔设计;对高能量环境建议增加散热面积或使用散热垫。
  • 极性连接(单向):常态下器件以反向工作,直接并联在被保护线路与接地之间;布线时保持最短、宽的导线/走线以降低寄生电感。

六、选型与使用提示

  • 反向截止电压 Vrwm 应高于系统最高工作电压,通常保留 10%~20% 安全裕量;SMBJ70A 适用于接近 70 V 及以下连续工作电压的线路。
  • 若保护 AC 双向线路或需对正负双向瞬态抑制,应选择系列中的双向型号。
  • 注意钳位电压与被保护器件耐压的匹配,确认 113 V 的钳位水平能被下游元件承受。
  • 对于重复脉冲或高频干扰环境,应评估器件热循环与长期可靠性,并考虑并联/级联或外加限流元件。

七、合规与品牌信息

本产品由 DOWO(东沃)生产,符合 RoHS 环保指令,适合集成到对可靠性与环保有要求的商用与工业系统中。选型时如需更详细的浪涌图、钳位曲线或封装尺寸,请参考厂商数据手册或联系供应商获取样片与测试报告。

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