详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb 并联 10 ns 90-TFBGA(8x13)
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
90-TFBGA(8x13) |
| 写周期时间 - 字,页 |
10ns |
| 制造商 |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 包装 |
托盘 |
| 基本产品编号 |
IS61WV51232 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
SRAM |
| 存储器类型 |
易失 |
| 存储器组织 |
512K x 32 |
| 存储容量 |
16Mb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
90-TFBGA |
| 工作温度 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 |
SRAM - 异步 |
| 电压 - 供电 |
1.65V ~ 3.6V |
| 系列 |
- |
| 访问时间 |
10 ns |
| 零件状态 |
在售 |
PDF描述:512K x 32 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY 512K ×32高速异步的CMOS静态RAM与3.3V电源