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BV03C

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

BV03C

编号:

E20146511

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):954mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

产品概述

BV03C 产品概述

BV03C 是 Bencent(槟城)推出的一款小尺寸双向瞬态电压抑制器(TVS),封装为 SOD-323,专为静电放电(ESD)和浪涌保护设计。该器件在小体积下提供可靠的浪涌吸收能力,适合对体积、响应速度和线缆辐射敏感的信号/接口保护场合。

一、主要参数与其含义

  • 极性:双向 —— 可对正向和负向冲击对称钳位,适用于双向信号线。
  • 反向截止电压 Vrwm:3 V —— 在此以下器件不导通,注意选择时应大于系统正常工作电压。
  • 钳位电压 Vc:5.15 V —— 在规定脉冲(8/20µs)下的最大钳位电压,表征保护电平。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:1 A @ 8/20µs —— 能承受的瞬态峰值电流能力。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:150 W @ 8/20µs —— 在 8/20µs 波形下的峰值吸收能力。
  • 击穿电压 Vbr:4 V —— 进入击穿区时的典型电压。
  • 反向电流 Ir:20 µA —— 在 Vrwm 下的漏电流大小。
  • 结电容 Cj:1.5 pF —— 对高速信号的负载小,适合对带宽敏感的信号线。
  • 工作温度:-55 ℃~+150 ℃;防护等级:符合 IEC 61000-4-2 标准(ESD 保护)。

二、产品特点

  • 小型封装(SOD-323),便于密集布板和自动贴装。
  • 双向结构,适合差分线或可能出现正负瞬变的接口。
  • 低结电容(1.5 pF),对高速数据线影响小,适合需保持信号完整性的场合。
  • 低漏电(20 µA)有利于低功耗系统。
  • 宽温度范围和符合 IEC 61000-4-2 要求,适应性强,可靠性高。

三、典型应用场景

  • 3.3 V 或更低电平的接口保护(如某些 UART、I/O 口、传感器线)。
  • 高速差分或单端信号线的 ESD 保护(在确认工作电压匹配的前提下)。
  • 工业通讯接口、仪表、便携式设备外部接口与连接器的浪涌/静电保护。
    (注意:若系统工作电压高于 Vrwm(3 V),需谨慎选型或考虑单向更高 Vrwm 的 TVS。)

四、PCB 设计与使用建议

  • 尽量靠近受保护的接口或连接器放置 TVS,走线短且宽,减少串联电感与阻抗。
  • 对于高速差分线,保持 TVS 两端到线对的对称布局,避免引入不对称干扰。
  • 如需进一步抑制峰值电流,可在信号线上配合小阻值串联电阻或熔断器使用,改善浪涌分流与热分散。
  • 注意焊接与回流工艺兼容性,SOD-323 兼容常见 SMT 工艺,贴装后检测焊点可靠性。

五、选型与可靠性注意事项

  • 核对系统工作电压与 Vrwm,Vrwm 应高于正常工作电压以避免常态漏电或误导通。
  • 关注钳位电压 Vc 是否满足被保护器件的耐压要求(5.15 V 在指定脉冲下),避免被保护器件因钳位电压过高受损。
  • 评估实际的脉冲能量需求,确认 Ppp/Ipp 能满足典型的浪涌/雷击情形。
  • 在严格的高压或汽车环境下,补充参考器件的资格认证和长期可靠性测试报告。

总结:BV03C(Bencent,SOD-323)以小封装、低电容和双向钳位为特点,适用于 3 V 级或以下信号线的 ESD/浪涌保护。在实际应用时,请依据系统电压、能量需求及信号完整性要求合理布局与配合外围元件,确保长期稳定工作。

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