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PESD15VS2UT

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PESD15VS2UT
品牌:

Nexperia(安世)

替代等级:P2P
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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

PESD15VS2UT

编号:

E20146629

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):1077mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述:Double ESD protection diodes in SOT23 package 双重ESD保护二极管,采用SOT23封装

产品概述

PESD15VS2UT 产品概述

一、产品简介

PESD15VS2UT 是 UMW(友台半导体)推出的一款面向静电放电与浪涌防护的 TVS/ESD 器件,封装为 SOT-23,适用于对 I/O 接口、信号线及电源线进行瞬态过压保护。器件主要规格包括:反向工作电压 Vrwm = 15V,击穿电压 Vbr ≈ 17.6V,钳位电压 Vc ≈ 35V(在 8/20µs 浪涌下),峰值脉冲功率 Ppp = 350W(8/20µs),峰值脉冲电流 Ipp = 10A(8/20µs),结电容 Cj = 50pF,反向漏电流 Ir = 500nA。器件通过 IEC 61000-4-2/4-4/4-5 等静电与浪涌抗干扰标准认证,适合工业与消费类电子的抗扰设计需求。

二、主要特性与优势

  • 高频响应快、瞬态吸收能力强:350W(8/20µs)峰值能量与 10A 峰值电流,能有效抑制常见的静电和雷击感应浪涌。
  • 低泄漏与稳定击穿点:Vrwm 15V 及 500nA 的低反向电流,适合对偏置敏感的电路。
  • 中等结电容(50pF):在多数数字与模拟接口中可以接受;对极高速差分接口需在系统级评估。
  • 工业级兼容性:满足 IEC 61000-4 系列防护等级,便于满足产品 EMC 设计要求。
  • SOT-23 小封装:便于表面贴装、自动化生产和空间受限 PCB 布局。

三、典型应用场景

  • USB、串口、CAN、RS-485 等通信接口保护(需按接口电压与带宽评估)。
  • 电源回路的瞬态抑制,尤其是 15V 型电源轨的本地防护。
  • 工业控制器、消费电子、测试设备等要求 IEC-级别静电/浪涌防护的终端产品。

四、设计与布局建议

  • 器件应尽量靠近被保护的接口或引脚贴装,走线最短以降低寄生感应。
  • 提供良好接地面(地平面)并在保护器与地之间保持低阻抗回流路径。
  • 对于对延迟与带宽敏感的高速信号,建议评估 50pF 电容对信号完整性的影响,必要时考虑并联阻抗或选择低容型保护器件。
  • SOT-23 封装热容有限,大电流冲击时需在 PCB 散热与保护策略上做好配合(如串联阻抗、限流元件等)。

五、使用注意事项

  • 持续工作电压不应超过 Vrwm(15V),长期超压可能导致漏流或失效。
  • 钳位电压 35V 是在 8/20µs 条件下的典型值,实际系统中若电流更大或波形不同,钳制水平会变化。
  • 在选择用于差分线或对称保护时,确认器件的单/双向特性与接法以免影响信号极性。

六、型号与采购

型号:PESD15VS2UT;品牌:UMW(友台半导体);封装:SOT-23。建议在样片验证中复核器件在目标应用下的钳位行为、结电容对信号的影响及热稳定性,以确保设计满足 EMC 与可靠性要求。

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