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PESD5V0L1BA
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PESD5V0L1BA

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PESD5V0L1BA
品牌：

Nexperia(安世)

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

PESD5V0L1BA

编号:

E20146655

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型：降压型 工作电压：4.5V~40V 输出电压：12V 输出电流：3A 开关频率：150kHz 工作温度：-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流：否 输出通道数：1 拓扑结构：降压式 静态电流(Iq)：1103mA 开关管(内置/外置)：内置 输出类型：固定 功能特性：过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述：Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323 低电容双向ESD保护二极管SOD323

产品概述

PESD5V0L1BA 产品概述

一、产品简介

PESD5V0L1BA 是 UMW（友台半导体）推出的一款双向瞬态抑制二极管（ESD Protector），封装为 SOD‑323。器件针对静电放电和雷击类瞬态冲击提供快速钳位保护，适用于各种通讯接口与数据线的浪涌抑制。

二、主要参数

  • 钳位电压（VC）：15V（典型）
  • 工作反向电压（VRWM）：5V
  • 最低击穿电压（VBR Min）：6V
  • 峰值脉冲电流（Ipp）：30A @ 8/20µs
  • 峰值脉冲功率（Ppp）：550W @ 8/20µs
  • 反向漏电流（IR）：≤1µA
  • 结电容（Cj）：约140pF
  • 极性：双向
  • 防护等级：符合 IEC 61000‑4‑2、IEC 61000‑4‑4、IEC 61000‑4‑5

三、主要特性与优势

  • 小尺寸封装（SOD‑323），适合高密度 PCB 布局。
  • 低漏电流，有利于电源与高阻抗线路的稳定性。
  • 低钳位电压和高能量吸收能力，可有效保护下游芯片免受瞬态过压损伤。
  • 双向结构无需区分极性，便于差分线或双向信号保持完整性。
  • 结电容控制在 140pF，兼顾保护性能与信号完整性，适合部分高速接口应用。

四、典型应用

  • USB、HDMI、LVDS、差分信号线的静电与浪涌保护
  • 手机、平板、笔记本等便携设备的接口防护
  • 工业控制、仪器仪表与通讯设备的输入/输出端口保护

五、封装与安装注意事项

  • 建议在受保护信号线与地之间并联布置，双向器件无极性限制。
  • 焊接工艺应遵循 SOD‑323 的回流温度曲线，避免长时间高温。
  • 对于高能量脉冲，注意 PCB 的散热与接地回路设计，以充分释放冲击能量并避免副作用。

六、选型与可靠性提示

选择时注意信号带宽与结电容的匹配，若用于超高速线缆或射频路径，需评估 140pF 是否满足要求。器件已通过常见的 IEC ESD/ EFT/ SI 测试，适合多数消费与工业应用场景。

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