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AOS

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AO3400A

编号:

E021462

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产品描述:全新


产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) -
导通电阻(RDS(on)) 4.6mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd) -
阈值电压(Vgs(th)) 2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg) 40nC@10V
输入电容(Ciss) 1.835nF
反向传输电容(Crss) 90pF
工作温度 -
类型 N沟道
输出电容(Coss) 940pF

PDF描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管

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