产品描述：全新
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
30V |
| 连续漏极电流(Id) |
2.2A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
65mΩ@4.5V，2.2A |
| 耗散功率(Pd) |
500mW |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
1.3V |
| 栅极电荷量(Qg) |
- |
| 输入电容(Ciss) |
300pF@10V |
| 反向传输电容(Crss) |
- |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃@(Tj) |
PDF描述：N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
