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LM2902DR

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LM2902DR
品牌:

TI(德州仪器)

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Texas Instruments

品牌:

Texas Instruments

型号:

LM2902DR

编号:

L56792757

包装:

-

批号:

-

封装:

14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 运算放大器
放大器数 四路
最大电源宽度(Vdd-Vss) 26V
轨到轨 -
增益带宽积(GBP) -
输入失调电压(Vos) 3mV
输入失调电压温漂(Vos TC) 7uV/℃
压摆率(SR) 500V/ms
输入偏置电流(Ib) 250nA
输入失调电流(Ios) -
噪声密度(eN) 35nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR) 80dB
输入失调电流温漂(Ios TC) -
静态电流(Iq) -
输出电流 -
工作温度 -40℃~+125℃
双电源(Vee~Vcc) -13V~13V

PDF描述:QUADRUPLE OPERATIONAL AMPLIFIERS 翻两番运算放大器

LM2902DR 产品概述

一、概述

LM2902DR 是由 UMW(友台半导体)推出的一款四通道通用放大器,采用推挽式输出结构,适用于对功耗、成本和通用性能有平衡要求的工业与消费类电子产品。器件在宽温度范围内稳定工作(-40℃~+105℃),支持单电源和对称双电源供电,具有良好的共模抑制与低噪声特性,便于在模拟信号调理、滤波、缓冲和驱动场合使用。

二、主要参数

  • 放大器数:4 路(四合一)
  • 共模抑制比(CMRR):80 dB
  • 噪声密度(eN):35 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 增益带宽积(GBP):1.2 MHz
  • 压摆率(SR):500 V/ms(等效 0.5 V/μs)
  • 输入失调电压(Vos):3 mV
  • 输入偏置电流(Ib):20 nA
  • 输入失调电流(Ios):2 nA
  • 静态电流(Iq):700 μA(典型,整片或单通道视应用而定)
  • 输出电流能力:20 mA
  • 最大电源宽度:26 V
  • 单电源电压范围:3 V ~ 26 V
  • 对称双电源范围:±1.5 V ~ ±13 V(总差值可达 26 V)
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +105 ℃
  • 封装:SOP-14

三、关键特点

  • 四路集成,节省 PCB 面积与物料成本,便于多通道设计统一性;
  • 推挽式输出能够在多种负载下提供高达 20 mA 的驱动能力,适合驱动小型致动器、LED 指示或后级缓冲;
  • 低噪声(35 nV/√Hz)与较高 CMRR(80 dB),有利于微小信号放大和高共模干扰环境下的稳定采集;
  • 宽电源兼容性:支持低至 3 V 的单电源系统以及对称 ±1.5 V~±13 V 的双电源系统,适配多类电源拓扑;
  • 宽温度范围与工业级应用适配,可靠性高。

四、典型应用

  • 模拟信号前端放大与缓冲(传感器信号调理、温度/压力/电流采集等);
  • 主动滤波器、积分/微分电路与运放级增益模块;
  • 信号驱动与小功率致动控制(例如驱动指示灯、继电器驱动前级等);
  • 多通道信号放大场合(数据采集系统、工业控制器、便携类仪器)。

五、封装与可靠性

LM2902DR 提供 SOP-14 封装,利于自动贴装和散热管理。器件额定的工作温度范围 -40 ℃ 至 +105 ℃ 满足工业级标准,建议在实际应用中配合合理的焊接工艺、热管理与信号接地设计以保证长期稳定性。

六、设计注意事项与建议

  • 电源去耦:在 VCC/VEE 附近放置 0.1 μF 陶瓷电容并并联大容量电解电容以抑制瞬态;
  • 输入保护:若系统存在高电压或反向电压风险,建议在输入端加限制电阻或 TVS/二极管保护,防止输入跨越电源轨损坏器件;
  • 布线与接地:模拟地尽量独立,信号回路短且靠近器件,减少噪声耦合影响 CMRR 与噪声性能;
  • 负载与散热:连续输出接近 20 mA 时注意封装及 PCB 热阻,必要时设计散热铜箔或散热通道。

LM2902DR 以其四路集成、低噪声与广泛的电源兼容性,为通用模拟放大场景提供了性价比较高的方案;在系统设计中按上述建议进行布局与保护,可发挥其最佳性能。

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