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IS25LP080D-JNLE
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IS25LP080D-JNLE

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25LP080D-JNLE

编号:

L63965439

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述:

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-SOIC


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-SOIC
写周期时间 - 字，页 800µs
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 散装
基本产品编号 IS25LP080
存储器接口 SPI - 四 I、O，QPI，DTR
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 1M x 8
存储容量 8Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）
技术 FLASH - NOR
时钟频率 133 MHz
电压 - 供电 2.3V ~ 3.6V
系列 -
零件状态 在售

PDF描述： FLASH - NOR 存储器 IC 8Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-SOIC

产品概述

IS25LP080D-JNLE 产品概述

一、产品简介

IS25LP080D-JNLE 是 ISSI（美国芯成）推出的一款 8Mbit 串行闪存（SPI Flash），封装为 8-SOIC。器件支持高达 133MHz 的 SPI 时钟频率，工作电压范围 2.3V ~ 3.6V，适用于存储固件、参数表、启动代码和数据日志等嵌入式系统需求。

二、关键参数

  • 存储容量：8Mbit（1MByte）
  • 接口类型：SPI，最高时钟频率 fc = 133MHz
  • 工作电压：2.3V ~ 3.6V
  • 待机电流：8 µA（典型/待机）
  • 擦写寿命：100,000 次（典型）
  • 页写入时间（Tpp）：200 µs（典型）
  • 数据保留（TDR）：20 年
  • 工作温度：-40 ℃ ~ +105 ℃
  • 封装：8-SOIC（8SOP）

三、主要特性

  • 低工作电压与低待机电流，利于电池供电和低功耗设计。
  • 高速 SPI 接口，支持系统高速读取与快速启动。
  • 优良的擦写耐久性（10^5 次）与 20 年数据保留，适合长期可靠性要求的应用。
  • 页写入时间短（200 µs），提高编程效率，降低停机时间。

四、典型应用

  • MCU/SoC 的外部程序/固件存储
  • 消费类电子、工业控制和通信设备的参数与配置存储
  • 可携带设备与物联网终端的日志与数据缓存
  • 引导 ROM（Boot ROM）与固件更新存储（FOTA）

五、封装与工程注意

封装为 8-SOIC，便于传统 PCB 布局与手工焊接。设计时推荐在 VCC 近端放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容，并按 PCB 最佳实践走地与电源回流。考虑到擦写寿命与数据完整性，建议采用磨损均衡（wear leveling）与写入校验机制，避免频繁在同一扇区高频写入。

六、设计建议

  • 上电/掉电序列遵循主控与闪存规格，避免在电源不稳时进行写/擦操作。
  • 读写密集应用可结合缓存策略减少闪存写入频次。
  • 在高温环境（接近 +105 ℃）下注意加大验证频率，以确保数据完整性。

IS25LP080D-JNLE 以其高时钟、低功耗和长寿命特性，是对可靠性和启动速度有较高要求系统的合适选择。

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