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IS25WP016D-JNLE
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IS25WP016D-JNLE

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS25WP016D-JNLE

编号:

L63965453

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述:

-

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 NOR FLASH
接口类型 SPI
存储容量 -
时钟频率(fc) 133MHz
工作电压 1.65V~1.95V
擦写寿命 100000次
页写入时间(Tpp) 800us
数据保留 - TDR(年) 20年
工作温度 -

PDF描述： FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb SPI - 四 I/O，QPI，DTR 133 MHz 8-SOIC

产品概述

IS25WP016D-JNLE 产品概述

一、产品简介

IS25WP016D-JNLE 是 ISSI（美国芯成）推出的一款 16Mbit NOR Flash 存储器，采用 SPI 串行接口，支持高达 133MHz 时钟频率。器件工作电压范围为 1.65V 至 1.95V，封装形式为 8-SOIC。凭借低电压、低待机功耗与高可靠性，该器件适合对体积、功耗和可靠性有较高要求的嵌入式系统和便携设备。

二、关键参数

  • 存储容量：16 Mbit
  • 接口类型：SPI
  • 最高时钟频率 (fc)：133 MHz
  • 工作电压：1.65V ~ 1.95V
  • 待机电流：5 µA
  • 页写入时间 (Tpp)：800 µs
  • 擦写寿命：100,000 次
  • 数据保留 (TDR)：20 年
  • 封装：8-SOIC

三、主要优势

  • 低电压工作：1.65V–1.95V 供电，适配低功耗电源设计，利于电池供电终端使用。
  • 低功耗待机：5 µA 待机电流，有助于延长系统待机时间。
  • 高可靠性：100k 次擦写寿命与 20 年的数据保留，满足工业级与长期部署需求。
  • 高速 SPI 访问：最高 133MHz 时钟频率，支持快速串行读写，提升启动与数据载入性能。
  • 标准封装：8-SOIC 便于生产贴片与测试，适配常见 PCB 设计流程。

四、典型应用

  • 嵌入式固件与启动代码存储（MCU/SoC 引导）
  • 工业控制与仪表的参数与配置数据保存
  • 物联网终端、可穿戴与消费类电子的程序与数据存储
  • FPGA/ CPLD 配置与系统固件备份

五、设计与使用建议

  • 供电与去耦：保持 1.65V–1.95V 稳定电源，靠近引脚放置合适的去耦电容以抑制瞬态噪声。
  • 时序与命令：在高速 SPI 下注意布线和信号完整性，参考厂商数据手册中读写、擦除与写保护时序与命令序列。
  • 可靠性管理：根据擦写寿命安排磨损均衡策略，关键数据可采用冗余备份与错误校验机制。
  • 封装与焊接：8-SOIC 封装适合常见 SMT 生产流程，注意回流温度曲线与 PCB 焊盘设计。

如需完整电气特性、引脚功能描述及指令集时序，请参阅 ISSI 官方数据手册或联系供应商获取技术支持。

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