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首页 > 场效应管(MOSFET) > DMG1012T-7
图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

DMG1012T-7

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5+

¥ 1.720000

¥ 8.6
100+

¥ 0.910000

¥ 91
500+

¥ 0.670000

¥ 335
1000+

¥ 0.460000

¥ 460
3000+

¥ 0.350000

¥ 1050
9000+

¥ 0.300000

¥ 2700
24000+

¥ 0.270000

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DIODES INC.

品牌:

DIODES INC.

型号:

DMG1012T-7

编号:

E008280

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, SOT-523

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 630mA
导通电阻(RDS(on)) 700mΩ@1.8V,350mA
耗散功率(Pd) 280mW
阈值电压(Vgs(th)) 1V
栅极电荷量(Qg) 736.6pC@4.5V
输入电容(Ciss) 60.67pF@16V
反向传输电容(Crss) 116.6pF
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET N沟道增强型MOSFET

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