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首页 > 场效应管(MOSFET) > IRLHS6276TRPBF
图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

IRLHS6276TRPBF

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1+

¥ 5.220000

¥ 5.22
10+

¥ 4.380000

¥ 43.8
100+

¥ 3.430000

¥ 343
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INFINEON

品牌:

INFINEON

型号:

IRLHS6276TRPBF

编号:

E008887

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, 双路 N沟道, 20V, 3.4A, PQFN-6

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 110A
导通电阻(RDS(on)) 8mΩ@10V,62A
耗散功率(Pd) 200W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 146nC
输入电容(Ciss) 3.247nF
反向传输电容(Crss) 211pF
工作温度 -55℃~+175℃

PDF描述:HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET

产品概述

产品概述:IRLHS6276TRPBF

IRLHS6276TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能N沟道功率场效应管(MOSFET),专为低电压和高频应用而设计。其出色的电气性能和优化的封装使其在各种电子产品中得到广泛应用,特别是在功率管理、开关电源及小型电机驱动等领域。

1. 基本参数

IRLHS6276TRPBF采用表面贴装型PQFN-6(2x2)封装,具有紧凑的外形设计,便于自动化组装与集成。其最大漏极电流(Id)可达4.5A,适用于低功耗电路设计。此外,漏源电压(Vdss)为20V,使其在受限电压环境下稳定工作,是多种低电压应用的理想选择。

2. 导通电阻与功率处理能力

在3.4A的电流下,IRLHS6276TRPBF的最大导通电阻(Rds(on))为45毫欧,这对于降低导通损耗、提高电路效率至关重要。结合最大功率处理能力为1.5W,这款MOSFET在高频开关驱动时能够有效管理热量,确保器件在高负载下的稳定性和可靠性。

3. 电气特性

该MOSFET的重要电气特性包括:

  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为1.1V(@10μA),这允许该器件在逻辑电平驱动下实现高效驱动,特别是在数字电路或低功率应用中。
  • 输入电容(Ciss):最大值为310pF(@10V),这意味着在高频开关条件下,该MOSFET可以提供较低的驱动功耗,确保快速开关速度。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为3.1nC(@4.5V),有助于降低栅极驱动功率,适用于频率要求较高的应用。

4. 工作温度范围

IRLHS6276TRPBF具备宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C。这使其适合于各种苛刻环境下的应用,诸如汽车电子和工业自动化。在高温或低温条件下,该MOSFET依旧能够保持良好的性能和稳定性。

5. 应用领域

凭借其出色的电气特性和可靠的性能,IRLHS6276TRPBF广泛应用于以下领域:

  • 开关电源:适合用于DC-DC转换器和功率管理模块中。
  • 电机控制:能够高效驱动小型电机,适用于电动工具、家用电器等。
  • LED驱动:在LED驱动电路中,IRLHS6276TRPBF能够实现卓越的电源管理和控制。
  • 消费电子:在手机、平板及其它便携设备中应用广泛。

6. 总结

总之,IRLHS6276TRPBF是一款集成了高效率、低功耗及优异热管理性能的N沟道MOSFET,适用于各种现代电子设计。其优越的导通电阻、宽广的工作温度范围以及兼容的逻辑电平驱动特性,使其在电子行业中占有重要的地位。无论是在新产品开发还是现有系统的优化中,IRLHS6276TRPBF都能够为工程师提供可靠的解决方案,助力于实现高性能、高效率的电子设备。

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