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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG10M-E3/TR 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：二极管

编号：E014472

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

5+： ¥ 3.480000

10+： ¥ 2.760000

100+： ¥ 1.670000

500+： ¥ 1.550000

1800+： ¥ 1.440000

3600+： ¥ 1.330000

5400+： ¥ 1.220000

10800+： ¥ 1.110000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 17.4

Total:11
总1条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

BYG10M-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44081881

正向压降(Vf)：1.15V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

1+： ¥ 6.280404

10+： ¥ 3.859143

100+： ¥ 2.482412

500+： ¥ 1.885774

总额：¥ 6.28

BYG10M-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44087264

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

1+： ¥ 6.280404

10+： ¥ 3.859143

100+： ¥ 2.482412

500+： ¥ 1.885774

1000+： ¥ 1.693313

2000+： ¥ 1.531344

总额：¥ 6.28

BYG10M 复制

品牌：Diotec Semiconductor复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44083267

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：5uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：1.5us

1+： ¥ 0.826369

10+： ¥ 0.330548

25+： ¥ 0.284271

100+： ¥ 0.235515

250+： ¥ 0.212873

500+： ¥ 0.198824

1000+： ¥ 0.187420

2500+： ¥ 0.175356

总额：¥ 0.83

BYG10MHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103922

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

15000+： ¥ 1.496554

总额：¥ 22448.31

BYG10MHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103921

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

12600+： ¥ 1.496554

总额：¥ 18856.58

BYG10MHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103592

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

7500+： ¥ 1.374417

总额：¥ 10308.13

BYG10MHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103591

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

7200+： ¥ 1.374417

总额：¥ 9895.8

BYG10M-M3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103493

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

12600+： ¥ 1.346403

总额：¥ 16964.68

BYG10M-M3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103489

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

15000+： ¥ 1.346403

总额：¥ 20196.05

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