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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG10M-E3/TR 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：二极管

编号：E014472

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

5+： ¥ 3.480000

10+： ¥ 2.760000

100+： ¥ 1.670000

500+： ¥ 1.550000

1800+： ¥ 1.440000

3600+： ¥ 1.330000

5400+： ¥ 1.220000

10800+： ¥ 1.110000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 17.4

Total:11
总1条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

BYG10M-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44081881

正向压降(Vf)：1.15V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

1+： ¥ 6.280404

10+： ¥ 3.859143

100+： ¥ 2.482412

500+： ¥ 1.885774

总额：¥ 6.28

BYG10M-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44087264

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：4us

1+： ¥ 6.280404

10+： ¥ 3.859143

100+： ¥ 2.482412

500+： ¥ 1.885774

1000+： ¥ 1.693313

2000+： ¥ 1.531344

总额：¥ 6.28

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