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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG21M-E3/TR 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：二极管

编号：E000156

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

5+： ¥ 2.340000

100+： ¥ 1.600000

500+： ¥ 1.200000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 11.7

Total:11
总1条记录，每页20条，共1页。
Mouser
原厂正品

BYG21M-e3/tr 复制

品牌：vishay semiconductors复制

封装：-

类目： 雪崩二极管

编号：L51025929

正向压降(Vf)：1.6V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

1+： ¥ 32.776274

10+： ¥ 21.197191

100+： ¥ 14.660612

500+： ¥ 11.579082

1000+： ¥ 10.645285

1800+： ¥ 10.085007

总额：¥ 32.78

Digikey
原厂正品

BYG21M-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44079492

正向压降(Vf)：1.6V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

1+： ¥ 5.123488

10+： ¥ 3.164993

100+： ¥ 2.018819

500+： ¥ 1.522668

总额：¥ 5.12

BYG21M-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44081927

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1000V

反向恢复时间(Trr)：120ns

1+： ¥ 6.445678

10+： ¥ 4.016153

100+： ¥ 2.581577

500+： ¥ 1.964444

1000+： ¥ 1.765207

2000+： ¥ 1.597454

总额：¥ 6.45

BYG21MH 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44083976

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

1+： ¥ 4.049208

10+： ¥ 2.487371

100+： ¥ 1.575059

500+： ¥ 1.177906

1000+： ¥ 1.049489

2000+： ¥ 0.941317

总额：¥ 4.05

BYG21M-M3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

编号：L44084750

1+： ¥ 6.858863

10+： ¥ 4.272328

100+： ¥ 2.757593

500+： ¥ 2.103440

总额：¥ 6.86

BYG21M 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 快恢复/高效率二极管

编号：L44081410

正向压降(Vf)：1.6V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

1+： ¥ 4.627666

10+： ¥ 2.826182

100+： ¥ 1.794047

500+： ¥ 1.347312

1000+： ¥ 1.203111

2000+： ¥ 1.081552

总额：¥ 4.63

BYG21MHR3G 复制

品牌：Taiwan Semiconductor Corporation复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44095186

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

1+： ¥ 5.536672

10+： ¥ 3.429431

100+： ¥ 2.198968

500+： ¥ 1.668274

总额：¥ 5.54

BYG21MHM3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104032

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

15000+： ¥ 1.532253

总额：¥ 22983.8

BYG21MHM3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44104031

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

10800+： ¥ 1.532253

总额：¥ 16548.33

BYG21MHE3_A/I 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103777

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

7500+： ¥ 1.445650

总额：¥ 10842.38

BYG21M-M3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44103726

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

15000+： ¥ 1.422760

总额：¥ 21341.4

BYG21MHE3_A/H 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44096650

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

反向恢复时间(Trr)：120ns

1+： ¥ 6.941500

10+： ¥ 4.321910

100+： ¥ 2.791474

500+： ¥ 2.130049

总额：¥ 6.94

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