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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

BYG22D-E3/TR 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E024612

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10+： ¥ 0.500000

深圳： 100+

1 个/PCS

总额：¥ 5

BYG22D-E3/TR3 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：E024312

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

10+： ¥ 0.200000

深圳： 100+

1 个/PCS

总额：¥ 2

Total:21
总2条记录，每页20条，共1页。
Digikey
原厂正品

BYG22D-E3/TR 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44082361

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：2A

反向恢复时间(Trr)：25ns

1+： ¥ 9.337970

10+： ¥ 5.842429

100+： ¥ 3.821957

500+： ¥ 2.950964

总额：¥ 9.34

BYG22D-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44082365

直流反向耐压(Vr)：200V

整流电流：2A

反向电流(Ir)：1uA@200V

反向恢复时间(Trr)：25ns

1+： ¥ 9.337970

10+： ¥ 5.842429

100+： ¥ 3.821957

500+： ¥ 2.950964

1000+： ¥ 2.670494

2000+： ¥ 2.434400

总额：¥ 9.34

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