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型号/品牌/封装 参数 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作

DMG6602SVT-7 复制

品牌：DIODES INC.复制

封装：-

类目：场效应管(MOSFET)

编号：E010798

手册:  

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：-

导通电阻(RDS(on))：-

耗散功率(Pd)：-

5+： ¥ 2.100000

100+： ¥ 1.310000

500+： ¥ 0.900000

1000+： ¥ 0.690000

CN： 1+

5 个/EA

总额：¥ 10.5

Total:11
总1条记录，每页20条，共1页。
Mouser
原厂正品

DMG6602SVT-7 复制

品牌：diodes incorporated复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51028222

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：-

导通电阻(RDS(on))：-

耗散功率(Pd)：-

1+： ¥ 34.830627

10+： ¥ 21.383951

100+： ¥ 13.540056

500+： ¥ 10.085007

1000+： ¥ 6.629958

3000+： ¥ 5.537416

总额：¥ 34.83

Digikey
原厂正品

DMG6602SVT-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L33240215

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：-

导通电阻(RDS(on))：-

耗散功率(Pd)：-

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225836

1000+： ¥ 1.093038

总额：¥ 4.21

DMG6602SVT-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L44796004

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：-

导通电阻(RDS(on))：-

耗散功率(Pd)：-

1+： ¥ 4.214482

10+： ¥ 2.586535

100+： ¥ 1.636211

500+： ¥ 1.225836

1000+： ¥ 1.093038

总额：¥ 4.21

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