GDCX-PN-88 复制

品牌：Kycon, Inc.复制

封装：-

编号：D5714727

手册:  

LED 颜色：不包含 LED

侵入防护：-

凸片方向：用户可选

制造商：Kycon, Inc.

包装：托盘

GD25Q16CTIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3965322

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD JTLPS1.14-MFN8-25-1-150-R33 复制

品牌：ams-OSRAM USA INC.复制

封装：-

编号：D3804674

手册:  

不同电流、温度下的光通量：315mW（270mW ~ 360mW）

供应商器件封装：1411

制造商：ams-OSRAM USA INC.

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

基本产品编号：GD JTLPS1.14

GD25Q64CWIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3967610

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-WSON（5x6）

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GDH10STR04 复制

品牌：TE Connectivity AMP Connectors复制

封装：-

编号：D4814849

手册:  

制造商：TE Connectivity AMP Connectors

包装：托盘

可水洗：是

基体材料：聚苯硫醚（PPS）

安装类型：表面贴装型

GD25Q80EEIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3965242

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-USON（2x3）

写周期时间 - 字，页：70µs，2ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25LQ32DSIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3981953

DigiKey 可编程：已验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25Q20CTIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3978710

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD75232PWR 复制

品牌：Texas Instruments复制

封装：-

编号：D4205865

手册:  

供应商器件封装：20-TSSOP

制造商：Texas Instruments

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

协议：RS232

双工：完全版

GD25Q64CSIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3967549

DigiKey 可编程：已验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GDH02STR04 复制

品牌：TE Connectivity AMP Connectors复制

封装：-

编号：D4814834

手册:  

制造商：TE Connectivity AMP Connectors

包装：卷带（TR）

可水洗：是

基体材料：聚苯硫醚（PPS）

安装类型：表面贴装型

GD25Q80CEIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3965279

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-USON（2x3）

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25LQ16CSIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3966346

DigiKey 可编程：已验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25LQ32ESIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3981935

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：60µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD82550GY 复制

品牌：Altera复制

封装：-

编号：D4183568

手册:  

DigiKey 可编程：未验证

制造商：Altera

包装：散装

系列：*

零件状态：在售

GD25Q127CSIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3968682

手册:  

DigiKey 可编程：已验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：12µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25Q32CSIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3966375

DigiKey 可编程：已验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25Q32CTIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3966376

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GD25Q80CTIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：-

编号：D3965229

DigiKey 可编程：未验证

供应商器件封装：8-SOP

写周期时间 - 字，页：50µs，2.4ms

制造商：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

GDM 3-7 复制

品牌：Hirschmann复制

封装：-

编号：D6514158

手册:  

制造商：Hirschmann

包装：散装

基本产品编号：GDM 3

系列：GDM

配件类型：垫圈

GD jtlps1.14-mfn8-25-1 复制

品牌：ams osram复制

封装：-

编号：L51065527

GDz16b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025177

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz9v1b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025283

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz2v7b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025312

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz27b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025287

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz8v2b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025218

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz5v1b-hg3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025248

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz24b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025202

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz5v6b-hg3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025313

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz3v6b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025232

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz11b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025184

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz3v9b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025263

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz18b-hg3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025282

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz12b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025185

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz5v6b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025303

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GD pslr31.13-1u3u-25-1 复制

品牌：ams osram复制

封装：-

编号：L51064880

GDz2v0b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025203

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz3v3b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025288

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz5v1b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025322

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDz13b-he3_a08 复制

品牌：vishay复制

封装：-

类目： 场效应管(MOSFET)

编号：L51025186

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

GDZ3V3LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58640475

GDZ5V6LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58641467

GDCX-PN-88 复制

品牌：Kycon, Inc.复制

封装：-

编号：L60416840

手册:  

凸片方向：用户可选

制造商：Kycon, Inc.

包装：托盘

基本产品编号：GDCX-PN

GDZ5V1LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58640479

GD25Q16CTIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L37349746

GD25Q16CTIGR 复制

品牌：Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

编号：L63965282

GD JTLPS1.14-MFN8-25-1-150-R33 复制

品牌：ams-OSRAM USA INC.复制

封装：1411（3528 公制）

编号：L58159321

制造商：ams-OSRAM USA INC.

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

基本产品编号：GD JTLPS1.14

大小 、 尺寸：0.138" 长 x 0.110" 宽（3.50mm x 2.80mm）

GDZ11LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58642941

GD CSSRM3.14-AJAM-24-1-700-R33 复制

品牌：ams-OSRAM USA INC.复制

封装：1212（3030 公制）

编号：L58159261

制造商：ams-OSRAM USA INC.

包装：卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带

大小 、 尺寸：0.118" 长 x 0.118" 宽（3.00mm x 3.00mm）

安装类型：表面贴装型

GD25Q80CTIGR 复制

品牌：Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.复制

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

类目： NOR FLASH

编号：L63965206

存储容量：-

时钟频率(fc)：120MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：600us

GDZ5V1B-G3-08 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：SC-76，SOD-323

编号：L58643541

GDZ2V0B-G3-18 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：SC-76，SOD-323

编号：L58645674

GDZ10LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58641290

GD25Q80EEIGR 复制

品牌：GigaDevice Semiconductor (HK) Limited复制

封装：8-XFDFN 祼焊盘

类目： NOR FLASH

编号：L37351088

存储容量：8Mbit

时钟频率(fc)：133MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：400us

GDZ3V6LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58641292

GDZ30B-E3-08 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：SC-76，SOD-323

编号：L58645675

GD25Q80EEIGR 复制

品牌：Gigadevice Electronics Singapore PTE.LTD.复制

封装：8-XFDFN 祼焊盘

类目： NOR FLASH

编号：L63965286

存储容量：8Mbit

时钟频率(fc)：133MHz

工作电压：2.7V~3.6V

页写入时间(Tpp)：400us

GDZ24LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58645166

GDZ9V1LP3-7 复制

品牌：Diodes Incorporated复制

封装：0201（0603 公制）

编号：L58645167

GD75232PWR 复制

品牌：Texas Instruments复制

封装：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

类目： RS232芯片

编号：L63812838

驱动器数：3

接收器数：5

数据速率：120Kbps

工作电压：5V