BYG21M-E3/TR 复制

品牌：VISHAY复制

封装：-

类目：二极管

编号：E000156

手册:  

漏源电压(Vdss)：400V

连续漏极电流(Id)：6.3A

导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V，6A

耗散功率(Pd)：125W

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品牌：vishay semiconductors复制

封装：-

类目： 雪崩二极管

编号：L51025929

正向压降(Vf)：1.6V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

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品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44079492

正向压降(Vf)：1.6V@1.5A

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1kV

BYG21M-E3/TR3 复制

品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division复制

封装：DO-214AC，SMA

类目： 雪崩二极管

编号：L44081927

直流反向耐压(Vr)：1kV

整流电流：1.5A

反向电流(Ir)：1uA@1000V

反向恢复时间(Trr)：120ns