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三星单季利润超去年全年 存储巨头战略转向长期供应协议

发布时间:昨天 17:45

类别:行业动态

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摘要:

三星单季利润超去年全年 存储巨头战略转向长期供应协议

4 月 7 日,三星电子发布 2026 年一季度业绩指引,预计当季销售额约 133 万亿韩元(约 6078 亿元人民币),同比增长 68.1%;营业利润约 57.2 万亿韩元(约 2611 亿元人民币),同比激增 755%,单季利润不仅创下历史新高,更超过 2025 年全年总和(43.6 万亿韩元)36氪。业绩爆发的核心驱动力,来自存储芯片业务的量价齐升,同时三星宣布重大战略调整,全面转向长期供应协议。

存储业务成为利润支柱。受益于 DRAM 与 NAND Flash 价格暴涨,三星存储部门一季度营收同比增长超 200%,贡献公司超 80% 的营业利润36氪。三星将 70% 以上的先进存储产能转向 HBM 与高端 DDR5,HBM4 产品供不应求,交期拉长至 18 个月以上,价格较传统 DRAM 高出 3-5 倍。同时,三星持续优化产品结构,削减低利润消费级存储产能,聚焦 AI、汽车电子等高附加值市场,推动毛利率大幅提升至 60% 以上。

重大战略调整方面,三星与 SK 海力士同步宣布,将全面放弃一年期短期合约,转向 3-5 年长期供应协议(LTA)。三星新规要求所有新签订单至少三年,SK 海力士已与谷歌、Meta 等云厂商洽谈五年期 DRAM 长约。此举旨在锁定 AI 核心客户、稳定长期营收、优化产能规划,同时避免行业周期波动风险,逐步向台积电 "先下单、后生产" 的稳定模式靠拢。长期协议下,客户可优先获得产能、锁定价格,厂商则能提前介入客户产品设计,开发定制化 HBM 产品,实现供需双赢。

产能与技术布局上,三星加速扩产高端存储。韩国平泽厂区新增 HBM4 产线将于 2026 年下半年投产,总投资超 40 万亿韩元;美国得州工厂启动建设,规划 NAND 与 DRAM 产能;同时加大 2nm GAA 代工工艺研发投入,计划 2026 年底实现小规模量产,与台积电正面竞争36氪。2026 年三星半导体资本支出达 110 万亿韩元(约 740 亿美元),创历史新高,重点投向 HBM、2nm 代工与功率半导体领域。

行业分析认为,存储巨头转向长约模式,标志着全球半导体供应链从 "短期博弈" 转向 "长期共生"。随着 AI 算力需求持续高涨,长约将成为行业标配,全球存储市场格局进一步固化,中小客户需调整采购策略应对供应紧张与价格波动。三星凭借技术、产能与规模优势,有望在本轮超级景气周期中持续领跑,2026 年全年营业利润有望接近 320 万亿韩元36氪


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