晶镓半导体受让氮化铝AlN全套专利，成为全球唯一同时掌握GaN/AlN自主衬底知识产权厂商

发布时间：昨天 17:59

类别：行业动态

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6 月 10 日，第三代半导体产业传来重磅产学研转化消息，晶镓半导体正式受让山东大学团队全套氮化铝 AlN 单晶衬底制备核心技术与完整专利体系，叠加企业已规模化量产的氮化镓 GaN 衬底自研技术，一跃成为全球范围内唯一同时拥有 GaN、AlN 两大超宽禁带半导体衬底完整自主知识产权的厂商，夯实国内第三代半导体底层材料技术壁垒，补齐射频、功率、深紫外芯片核心衬底短板。

氮化铝 AlN 属于超宽禁带半导体核心衬底材料，具备超高导热、高频低损耗、耐高温等优势，是 6G 射频器件、大功率快充、新能源车载功率芯片、深紫外光电器件的底层核心基材。长期以来，国内高端 AlN 单晶衬底量产技术存在多重瓶颈：高纯原料提纯难度高、晶体扩径工艺不成熟、衬底抛光精度不足、配套生长设备兼容性差，高端产品高度依赖海外进口，制约国内宽禁带半导体全链条发展。

山东大学攻关团队深耕 AlN 晶体生长十余年，自主定制专用热场设备与晶体生长控制系统，逐一攻克杂相晶体剔除、原子级平整成核、低应力晶体成型等核心工艺，自研衬底残余应力、平整度、导热系数等关键指标达到国际头部厂商水准，全套工艺覆盖设备、原料、生长、加工全流程，配套近百项发明专利，具备完整产业化落地条件。

晶镓半导体原有业务聚焦 2/4/6 英寸氮化镓衬底规模化生产，产品批量供应国内射频、快充、车载芯片厂商，国内市占率稳居行业前列。本次技术转让落地后，企业将同步搭建 AlN 单晶量产产线，分阶段完成 2 英寸、4 英寸大尺寸衬底迭代，形成 GaN+AlN 双主线衬底生产能力，覆盖低压快充、高压车载、6G 毫米波通信、激光雷达等多元应用场景。

全球第三代半导体行业竞争持续升温，海外龙头企业持续加码 SiC、GaN 衬底扩产，同步布局 AlN 下一代材料技术抢占长期赛道。国内层面，CASA 联盟 6 月连续发布三项碳化硅设备、车载功率器件行业标准，天岳先进主导多项 SiC 国标落地，士兰微、英诺赛科 8 英寸宽禁带产线持续通线投产，国内第三代半导体形成 “衬底 - 外延 - 器件 - 模组 - 终端” 完整发展生态。

从产业战略价值来看，衬底是第三代半导体产业链最上游、技术壁垒最高的环节，本次国内企业同步掌握两类核心衬底自主专利，彻底摆脱底层材料技术外部依赖。伴随新能源汽车、AI 服务器电源、6G 通信产业爆发，宽禁带半导体市场规模将迎来指数级增长，具备全谱系衬底自研量产能力的国内企业，将在全球功率半导体、射频芯片竞争中掌握技术主动权，推动国内第三代半导体产业从规模化追赶转向技术引领。