第三代半导体专利博弈升温，Wolfspeed起诉Navitas，全球GaN/SiC专利壁垒格局重塑

发布时间：昨天 11:57

类别：行业动态

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2026年7月，全球第三代半导体行业迎来重磅专利诉讼风波，碳化硅、氮化镓龙头Wolfspeed在美国特拉华州地方法院发起正式诉讼，指控Navitas多款GaN、SiC功率器件产品侵犯其5项核心发明专利，覆盖宽禁带半导体衬底制备、器件结构、封装工艺等底层核心技术，引发全球功率半导体专利格局深度重构。

本次涉案专利均为Wolfspeed长期积累的底层基础专利，涵盖氮化镓高频开关结构、碳化硅MOSFET导通优化、功率模块集成封装等关键技术，广泛应用于新能源汽车电控、快充电源、AI服务器供电、光伏储能等主流场景。若诉讼落地，将对全球中低端宽禁带器件厂商形成严格专利限制，大幅抬高行业准入门槛。

针对本次诉讼，Navitas第一时间公开否认侵权，明确表示自身产品采用完全差异化的器件设计与工艺路线，不存在专利侵权行为，并将积极应诉抗辩。业内律师解读，本次诉讼并非单纯商业纠纷，而是全球第三代半导体产业进入存量竞争后，头部企业通过专利壁垒划分市场、垄断核心技术的标志性动作。

随着SiC、GaN器件渗透率持续提升，行业从早期技术迭代、产能扩张，转向专利卡位、市场垄断的精细化竞争。海外老牌龙头依托数十年技术积累，构建了密集的底层专利网，持续通过诉讼、授权、交叉许可等方式构筑行业壁垒，限制新兴厂商入局。此前功率半导体竞争集中在产能、成本、性能，现阶段专利储备成为企业核心竞争力，直接决定企业市场拓展空间与长期生存能力。

对于国内第三代半导体产业而言，本次专利博弈释放明确信号：宽禁带半导体海外专利壁垒已高度成熟，低端跟随式研发极易触发侵权风险。目前国内企业正加速构建自主专利体系，在衬底生长、新型器件结构、车规级封装等领域持续布局原创专利，避开海外成熟专利壁垒，走差异化技术路线。未来，自主专利储备、差异化技术创新，将成为国产功率半导体突破海外垄断、走向全球市场的核心关键。