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氮化镓专利诉讼持续发酵，功率半导体知识产权博弈走向白热化
发布时间：12小时前
类别：行业动态
阅读：7
摘要：
氮化镓专利诉讼持续发酵，功率半导体知识产权博弈走向白热化
近期，全球第三代功率半导体赛道知识产权争端持续升级，纳微半导体向美国德克萨斯州东区联邦法院，对瑞萨电子提起专利侵权反诉，双方围绕氮化镓 GaN 核心技术开启互相诉讼模式，引发整个功率器件行业高度关注。
回溯事件脉络，今年 7 月瑞萨电子率先发起诉讼，指控纳微半导体存在商业机密相关侵权行为。时隔一个月，纳微半导体正式反击，起诉瑞萨主流氮化镓产品侵犯自身四项核心技术专利，案件涉及快充、电源适配器、服务器电源等大量商用落地产品。
氮化镓作为第三代半导体核心材料，具备高频、高效率、低损耗优势，广泛应用于 AI 服务器供电、新能源汽车电源、消费电子快充、工业电源等场景，市场规模持续快速扩张。伴随行业红利释放，头部企业之间的专利摩擦明显增多。
行业分析师表示，功率半导体已经从单纯比拼器件性能，演变为专利壁垒、产品迭代、供应链布局的综合竞争。企业一方面要加大器件架构、衬底、外延、驱动电路的技术研发，另一方面专利布局、风险规避已经成为商业运营的必修课。后续案件审理结果，或将影响全球氮化镓产品供货格局，下游电源、整车、服务器厂商也在持续观望事态走向。不少终端厂商已经启动多供应商备份方案，降低单一技术路线带来的法务与供应链风险。
长期来看，氮化镓器件成本持续下探，未来会大规模渗透工业与车载市场，相关专利储备的价值会进一步放大，同类型技术纠纷预计还将频繁出现。
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