HBM4持续供不应求，SK海力士导入多元先进封装技术

发布时间：昨天 13:56

类别：行业动态

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【技术产业新闻】存储大厂 SK 海力士对外披露下一代 HBM 高带宽内存技术路线，除继续迭代 TSV 硅通孔堆叠工艺，还计划引入 EMIB 等异构封装技术，进一步拉高 HBM 产品带宽，缓解 AI 行业存储紧缺局面。

HBM 已经成为高端 AI 算力硬件的刚需部件，当前 HBM4 已经实现量产，被应用于新一代 AI 算力平台。即便厂商持续加大资本开支、增添设备扩产，市场依旧处于供不应求状态。近期韩国本土设备商拿到来自 SK 海力士大额 HBM 晶圆测试设备订单，侧面印证扩产进度正在加速推进。

技术层面，SK 海力士规划后续产品将实现 TSV 通孔数量翻倍，优化电源分配网络，解决高带宽带来的功耗难题。单纯依靠堆叠层数提升性能已经遇到瓶颈，结合异构封装、逻辑芯片集成，成为下一代 HBM 的主要演进方向。

行业调研信息显示，HBM 供需紧张的局面短期难以彻底缓解，机构预测至少到 2027 年年中，供给缺口才会出现明显缓和，相关产品价格维持高位运行证券时报。三星、美光同样在加码 HBM 研发与产能建设，各家企业围绕带宽、功耗、良率展开激烈技术比拼，高带宽存储赛道竞争进入白热化阶段。