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第三代半导体产业提速,功率芯片打开新能源与机器人市场

发布时间:昨天 15:34

类别:行业动态

阅读:11

摘要:

第三代半导体产业提速,功率芯片打开新能源与机器人市场

AI、储能、新能源车、人形机器人等新兴市场需求爆发,带动第三代半导体赛道进入规模化落地阶段。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的功率芯片,具备高耐压、低损耗、高频特性,成为全球半导体产业的新增长极。海内外企业纷纷调整战略、发布新品、搭建产业联盟,专利布局与供应链合作同步提速。

海外厂商持续巩固市场优势,英飞凌近期与国内材料企业达成合作,联合开发半导体引线框架新材料,打通功率芯片封装材料供应链。安森美持续扩产 SiC 晶圆产能,重点面向车载电源、储能变流器市场,同时开放部分器件设计平台,吸引生态伙伴共同开发功率模块。全球功率半导体行业的竞争逻辑正在转变,不再只比拼芯片本身,器件封装、系统方案、长期可靠性与客户联合开发能力变得越来越重要。

国内企业在第三代半导体赛道持续推进产业化落地。宏微科技公布的经营数据显示,研发投入保持两位数增长,1200V SiC MOSFET 实现小批量出货,650V GaN 芯片已经通过 AI 数据中心电源客户认证,逐步放量。面向人形机器人的 GaN 功率器件进入批量送样阶段,甚至面向可控核聚变电源场景的功率器件也实现商业化收入。企业同步推进全球化布局,在德国设立全资子公司,拓展欧洲新能源、工业控制市场;同时和国电投旗下企业共建联合实验室,联合怀柔实验室设立子公司,聚焦 SiC 外延、芯片、器件全链条技术研发,落实 “硅基器件 + 第三代半导体” 一体两翼的长期战略证券时报。

设备端,中微公司推出碳化硅外延相关设备新品,填补国内化合物半导体外延设备的部分空白,助力国内 SiC 产线降低设备采购成本。材料端,国内多家企业在 SiC 衬底、外延片领域持续迭代,大尺寸衬底良率稳步提升,逐步进入国内功率器件厂商供应链。

存储与存算融合芯片赛道同样迎来战略转型。东芯股份公告计划投入 6.82 亿元建设存算融合芯片研发项目,项目周期约 42 个月。该方案依托先进封装,将存储、互连、计算芯片集成在一起,打造低功耗 SoC,面向工业物联网、智能家居、医疗设备、能源管理等场景。存算一体方案可以减少数据在存储与计算单元之间来回传输带来的能耗与延迟,非常适合端侧 AI 应用,这也是国内存储芯片企业从单纯卖存储器件,向提供整套智能芯片解决方案转型的重要一步新浪财经。

算力芯片企业业绩持续增长。摩尔线程旗舰级全功能 GPU 实现规模量产,上半年营收同比实现数倍增长;海光信息 “CPU+DCU” 双产品线持续迭代,营收利润保持稳定增长,面向服务器算力场景持续拓展行业客户。佰维存储发力晶圆级先进封测项目,大额投资建设三期封测产线,抓住 AI 存储需求红利,订单规模大幅增长。

专利布局方面,国内功率器件企业持续加大知识产权储备,围绕 SiC 外延生长、芯片制造、器件可靠性、模块封装等方向申请大量发明专利,规避海外专利壁垒。行业内也出现大量产学研合作项目,高校实验室和企业联合攻关材料缺陷、器件失效等底层技术难题。

行业调研机构指出,未来几年,人形机器人、储能、车载电源将持续拉动第三代半导体需求。但赛道同样存在挑战:衬底良率偏低、制造成本偏高,高端检测设备依赖进口,产品长期可靠性验证周期很长。功率芯片属于长周期产品,客户认证往往需要数年时间,企业需要持续投入资金、耐心积累客户。

整体来看,第三代半导体赛道属于差异化突围赛道,不需要盲目追逐最尖端逻辑制程。国内企业依托下游庞大的新能源、工控、机器人市场,通过持续技术迭代、产业链协同,有望持续提升全球市场份额。未来功率芯片的竞争,将是成本、良率、可靠性、生态服务的综合比拼。


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