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2SK3775-01

型号：

2SK3775-01

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

95 K

下载PDF手册
2SK3775-01  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
200406  
Outline Drawings (mm)  
Features  
High speed switching, Low on-resistance  
Low driving power, Avalanche-proof  
No secondary breadown  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
F o o t P r i n t  
Equivalent circuit schematic  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
D : Drain  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Ratings  
300  
Unit  
V
Remarks  
G : Gate  
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
300  
V
VGS=-30V  
Continuous Drain Current  
±32  
A
S1 : Source  
2.4  
±
A
Ta=25°C  
S2 : Source  
Pulsed Drain Current  
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±128  
±30  
A
Note *1:Surface mounted on 1000mm2,t=1.6mm  
FR-4 PCB(Drain pad area:500mm2)  
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
V
32  
A
Note *2  
Note *3  
<
Note *2:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
EAS  
597.4  
mJ  
Note *3:StartingTch=25°C,IAS=13A,L=6.13mH,  
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
VCC=48V,RG=50Ω  
EAR  
27  
mJ  
Note *4  
<
EAS limited by maximum channel temperature  
and avalanch current.  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
kV/µs VDS 300V  
=
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *4:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Theemal impedance’  
graph  
Note *5  
kV/µs  
W
270  
Tc=25°C  
2.40  
Ta=25°C Note*1  
Operating and Storage  
Temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
<
<
<
Note *5:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
Drain-Source Breakdown Voltaget  
Gate Threshold Voltage  
300  
3.0  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=300V VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=240V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transcondutance  
Input Capacitance  
RDS(on)  
gfs  
ID=16A VGS=10V  
0.10  
0.13  
Ω
12  
24  
1970  
335  
20  
S
ID=16A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
2955  
502  
30  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output Capacitance  
f=1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
VCC=180V ID=16A  
29  
44  
7.5  
11  
VGS=10V  
57  
86  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
7
10.5  
44.5  
18.0  
13.5  
67.0  
27.0  
20.5  
QG  
VCC=150V  
ID=32A  
nC  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
VSD  
trr  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
0.90  
270  
3.0  
1.50  
IF=32A VGS=0V Tch=25°C  
IF=32A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
ns  
µC  
Qrr  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Test Conditions  
channel to case  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
0.463 °C/W  
°C/W  
87.0  
°C/W  
52.0  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
channel to ambient  
Rth(ch-a) *1  
*1 Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area : 500mm2)  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
2SK3775-01  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
5
4
3
2
1
0
400  
300  
200  
100  
0
Surface mounted on  
1000mm2,t=1.6mm FR-4 PCB  
(Drain pad area : 500mm2)  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tc [°C]  
Tc [°C]  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
10  
1
20V  
10V  
8V  
7V  
6.5V  
0.1  
VGS=6.0V  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
VDS [V]  
VGS[V]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
0.30  
0.25  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0.00  
100  
10  
1
VGS=6V  
7V  
6.5V  
8V  
10V  
20V  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
ID [A]  
ID [A]  
2
2SK3775-01  
FUJI POWER MOSFET  
Drain-Source On-state Resistance  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
RDS(on)=f(Tch):ID=16A,VGS=10V  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
max.  
min.  
max.  
typ.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
Tch [°C]  
Typical Capacitance  
Typical Gate Charge Characteristics  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
VGS=f(Qg):ID=32A,Tch=25°C  
104  
103  
102  
101  
100  
14  
12  
10  
8
Ciss  
Vcc= 60V  
150V  
240V  
Coss  
Crss  
6
4
2
0
100  
101  
102  
103  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
Qg [nC]  
VDS [V]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
t=f(ID):Vcc=180V,VGS=10V,RG=10 Ω  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
103  
102  
101  
100  
100  
10  
1
td(off)  
td(on)  
tf  
tr  
0.1  
10-1  
100  
101  
102  
0.00  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
VSD [V]  
ID [A]  
3
2SK3775-01  
FUJI POWER MOSFET  
Thermal Resistance vs. Drain Pad area  
t=1.6mm FR-4 PCB  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
700 E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=32A  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
IAS=13A  
600  
500  
IAS=20A  
400  
300  
IAS=32A  
200  
100  
0
0
1000  
2000  
3000  
4000  
5000  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Drain Pad Area [mm2]  
starting Tch [°C]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=48V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

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