2SK2113
GaAs HEMT
Application
UHF low noise amplifier
CMPAK–4
4
Features
3
1
• HEMT structure
• Excellent low noise characteristics
NF=0.8dB typ (f=900MHz)
• High gain
Ga=18dB typ (f=900MHz)
• Small package (CMPAK-4)
2
1. Source
2. Drain
3. Source
4. Gate
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Drain to source voltage
V
3.5
V
DS
———————————————————————————————————————————
Gate to source voltage
V
–3
V
GSO
———————————————————————————————————————————
Gate to drain voltage
V
–3
V
GDO
———————————————————————————————————————————
Drain current
I
60
mA
D
———————————————————————————————————————————
Channel power dissipation
Pch
100
mW
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
Tch
125
°C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +125
°C
———————————————————————————————————————————
